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1. (WO2006123630) PROCEDE POUR FABRIQUER UN BLANC DE MASQUE DE DEPHASAGE ET UN MASQUE DE DEPHASAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/123630    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/309696
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 16.05.2006
CIB :
C23C 14/06 (2006.01), G03F 1/32 (2012.01), G03F 1/54 (2012.01), G03F 1/68 (2012.01)
Déposants : HOYA CORPORATION [JP/JP]; 7-5, Naka-Ochiai 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1618525 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAMOTO, Minoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI, Toshiyuki; (JP).
SAKAMOTO, Minoru; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; The Third Mori Building, 4-10, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-147695 20.05.2005 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK
(FR) PROCEDE POUR FABRIQUER UN BLANC DE MASQUE DE DEPHASAGE ET UN MASQUE DE DEPHASAGE
(JA) 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a phase shift mask blank wherein a light semi-transmissive film having a prescribed transmittance to an exposure wavelength is formed on a transparent substrate. The light semi-transmissive film having a metal, silicon, nitrogen and/or oxygen as main elements is formed on the semi-transmissive substrate. After the semi-transmissive film is heat-treated, for instance, by a heating plate, the light semi-transmissive film just after the heat treatment is cooled by a cooling means (for instance, a cooling plate) which can perform cooling at a uniform cooling speed within a plate and forcibly.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour fabriquer un blanc de masque de déphasage dans lequel un film semi-transmissif de la lumière, présentant une transmittance prescrite sur une longueur d'onde d'exposition, est formé sur un substrat transparent. Le film semi-transmissif de la lumière présentant du métal, du silicium, de l'azote et/ou de l'oxygène comme éléments principaux, est formé sur le substrat semi-transmissif. Une fois le film semi-transmissif traité à la chaleur, par exemple par une plaque de chauffage, il est tout de suite refroidi par un moyen de refroidissement (par exemple, une plaque de refroidissement), capable d'agir à une vitesse de refroidissement uniforme, dans une plaque et de manière forcée.
(JA) 透明基板上に、露光波長に対し所定の透過率を有する光半透過膜を形成した位相シフトマスクブランクの製造方法であって、前記透明基板上に、金属、シリコン、窒素及び/または酸素を主たる構成要素とする光半透過膜を形成し、該光半透過膜の熱処理を例えば加熱プレート等によって行った後、該熱処理を行った直後の光半透過膜を、面内均一冷却速度で冷却しうる冷却手段であって、かつ強制的に冷却しうる冷却手段(例えば冷却プレート等)によって冷却処理する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)