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1. (WO2006123306) PROCEDE DE SURVEILLANCE DE LA 'PREMIERE REGION A FONDRE' DANS UNE CELLULE PCM ET DISPOSITIFS AINSI OBTENUS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/123306    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/051576
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 18.05.2006
CIB :
G11C 16/02 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW [BE/BE]; Kapeldreef 75, B-3001 Leuven (BE) (Tous Sauf US).
WOUTERS, Dirk [BE/BE]; (GB) (US Seulement).
GOUX, Ludovic [BE/BE]; (GB) (US Seulement).
LISONI, Judith [BE/BE]; (GB) (US Seulement).
GILLE, Thomas [BE/BE]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : WOUTERS, Dirk; (GB).
GOUX, Ludovic; (GB).
LISONI, Judith; (GB).
GILLE, Thomas; (GB)
Mandataire : WHITE, Andrew; NXP Semiconductors, Intellectual Property Department, Cross Oak Lane, Redhill, Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
60/683,030 19.05.2005 US
Titre (EN) METHOD FOR CONTROLLING THE 'FIRST-TO-MELT' REGION IN A PCM CELL AND DEVICES OBTAINED THEREOF
(FR) PROCEDE DE SURVEILLANCE DE LA 'PREMIERE REGION A FONDRE' DANS UNE CELLULE PCM ET DISPOSITIFS AINSI OBTENUS
Abrégé : front page image
(EN)A phase-change-material memory cell is provided. The cell comprises at least one patterned layer of a phase-change material, and is characterized in that this patterned layer comprises at least two regions having different resistivities. If the resistivity of the phase-change material is higher in a well- defined area with limited dimensions ('hot spot') than outside this area, then, for a given current flow between the electrodes, advantageously more Joule heat will be generated within this area compared to the area of the phase- change material where the resistivity is lower.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire pourvue d'un matériau à changement de phase. La cellule comprend au moins une couche à motif en matériau à changement de phase, et est caractérisé en ce que cette couche à motif comprend au moins deux régions à résistivités différentes. Lorsque la résistivité du matériau à changement de phase est plus élevée dans une zone bien définie à dimensions limitées ('point chaud') qu'à l'extérieur de cette zone, pour une intensité de courant donnée entre les électrodes, davantage de chaleur générée par l'effet de Joule est alors avantageusement produite dans cette zone par rapport à la zone du matériau à changement de phase où la résistivité est plus faible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)