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1. (WO2006123153) GUIDE D'ONDES TERAHERTZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/123153    N° de la demande internationale :    PCT/GB2006/001828
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 18.05.2006
CIB :
G02B 6/10 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01), H01S 5/04 (2006.01)
Déposants : THE CENTRE FOR INTEGRATED PHOTONICS LIMITED [GB/GB]; Adastral Park, Ipswich IP5 3RE (GB) (Tous Sauf US).
CHEN, Xin [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Xin; (GB)
Mandataire : I.P. 21 LIMITED; Norwich Research Park, Colney, Norwich NR4 7UT (GB)
Données relatives à la priorité :
0510113.4 18.05.2005 GB
Titre (EN) TERAHERTZ WAVEGUIDE
(FR) GUIDE D'ONDES TERAHERTZ
Abrégé : front page image
(EN)A waveguide structure for terahertz radiation has a first layer (6) of semiconductor material having a positive dielectric constant and a second layer of semiconductor material (8) which is doped to have a negative dielectric constant. The first and second layers (6, 8) share a common interface and the layers are arranged such that terahertz radiation propagates along the interface by means of a surface plasmon.
(FR)L'invention concerne une structure de guide d'ondes pour rayonnement térahertz comprenant une première couche (6) de matériau semi-conducteur présentant une constante diélectrique positive et une seconde couche (8) de matériau diélectrique dopée de façon à présenter une constante diélectrique négative. Lesdites première et seconde couches (6, 8) partagent une interface commune et sont disposées de sorte qu'un rayonnement térahertz se propage le long de l'interface au moyen d'un plasmon de surface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)