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1. (WO2006122829) PROCEDE POUR REALISER UN ELEMENT STRUCTUREL MICROMECANIQUE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/122829    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/004787
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 19.05.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.03.2007    
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : AUSTRIAMICROSYSTEMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten, A-8141 Unterpremstätten (AT) (Tous Sauf US).
SCHRANK, Franz [AT/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : SCHRANK, Franz; (AT)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2005 023 059.8 19.05.2005 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROMECHANISCHEN STRUKTURELEMENTES UND HALBLEITERANORDNUNG
(EN) METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL STRUCTURAL ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT
(FR) PROCEDE POUR REALISER UN ELEMENT STRUCTUREL MICROMECANIQUE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Das Verfahren dient zum Herstellen eines mikromechanischen Strukturelementes (13) auf oder in einem Kristallsubstrat (3), wobei das mikromechanische Strukturelement (13) schwingbar in einer Ausnehmung (4) des Kristallsubstrates (3) angeordnet ist und mittels eines Steges (15) mit dem Kristallsubstrat (3) verbunden ist, mit folgenden Schritten: Bereitstellen des Kristallsubstrates (3); Abscheiden einer Ätzmaskenschicht (1); lokales Entfernen der Ätzmaskenschicht (1), so dass die verbleibende Ätzmaskenschicht (1) eine Umrandung (8) aufweist, welche sich unter einem vorgebbaren Winkel von weniger als 180 Grad auf beiden Seiten eines Anschlussgebietes (19) des Steges (15) an das Kristallsubstrat (3) erstreckt, und Ätzen des Kristallsubstrates (3) zur Bildung der Ausnehmung (4) und des mikromechanischen Strukturelementes (13). Damit wird erreicht, dass eine freigelegte Kristallebene (7) durch das Anschlussgebiet (19) verläuft.
(EN)The invention relates to a method for producing a micromechanical structural element (13) on or in a crystal substrate (3), whereby the micromechanical structural element (13) is arranged so as to oscillate in a recess (4) of the crystal substrate (3) and is connected to the crystal substrate (3) by means of a web (15). The inventive method comprises the following steps: providing a crystal substrate (3); depositing an etching mask layer (1); locally removing the etching mask layer (1) in such a manner that the remaining etching mask layer (1) has a border (8) that extends at a defined angle f of less than 180 degree on both sides of a connecting region (19) of the web (15) to the crystal substrate (3), and etching the crystal substrate (3) in order to produce the recess (4) and the micromechanical structural element (13), thereby accomplishing that an exposed crystal plane (7) extends through the connecting region (19).
(FR)L'invention concerne un procédé pour réaliser un élément structurel micromécanique (13) sur ou dans un support de cristal (3), l'élément structurel micromécanique (13) étant disposé oscillant dans un évidement (4) du support de cristal (3), auquel il est relié par une barrette (15). Le procédé comprend les opérations suivantes : préparer un support de cristal (3); déposer une couche masque de gravure (1); enlever partiellement cette couche masque de gravure (1), de sorte que la couche masque de gravure (1) restante ait un bord (8) qui s'étend selon un angle défini inférieur à 180 degrés sur les deux côtés d'une zone de raccordement (19) de la barrette (15) au support de cristal (3) ; graver le support de cristal (3) pour former l'évidement (4) et l'élément structurel micromécanique (13). On obtient ainsi un plan de cristal (7) dégagé qui traverse la zone de raccordement (19).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)