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1. (WO2006122774) PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE DES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/122774    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/004660
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 17.05.2006
CIB :
H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW [BE/BE]; Kapeldreef 75, B-3001 Leuven (BE) (Tous Sauf US).
CARNEL, Lodewijk [BE/BE]; (BE) (US Seulement).
GORDON, Ivan [BE/BE]; (BE) (US Seulement).
POORTMANS, Jef [BE/BE]; (BE) (US Seulement).
BEAUCARNE, Guy [BE/BE]; (BE) (US Seulement)
Inventeurs : CARNEL, Lodewijk; (BE).
GORDON, Ivan; (BE).
POORTMANS, Jef; (BE).
BEAUCARNE, Guy; (BE)
Mandataire : BIRD, William, E.; Bird Goën & Co., Klein Dalenstraat 42 A, B-3020 Winksele (BE)
Données relatives à la priorité :
60/682,208 17.05.2005 US
Titre (EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF PHOTOVOLTAIC CELLS
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE DES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method for the production of a photovoltaic device. In one aspect, the method comprises: (1 ) providing a carrier substrate, (2) forming a crystalline semiconductor layer on the substrate, (3) carrying out hydrogen passivation of the crystalline semiconductor layer, and (4) creating an emitter on the surface of the passivated crystalline semiconductor layer.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire un dispositif photovoltaïque. Selon un aspect, ledit procédé consiste: 1 ) à fournir un substrat de support, 2) à former une couche cristalline semiconductrice sur ledit substrat, 3) à effectuer une passivation de l'hydrogène de la couche cristalline semiconductrice, et 4) à créer un émetteur sur la surface de la couche cristalline semiconductrice passivée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)