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1. (WO2006122529) RESEAU DE CAPTEURS A INFRAROUGE A THERMOPILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/122529    N° de la demande internationale :    PCT/DE2006/000841
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 16.05.2006
CIB :
H04N 5/33 (2006.01), H04N 3/15 (2006.01), G01J 5/06 (2006.01), G01J 5/22 (2006.01)
Déposants : HEIMANN SENSOR GMBH [--/DE]; Grenzstr. 22, 01109 Dresden (DE) (Tous Sauf US).
LENEKE, Wilhelm [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SIMON, Marion [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHULZE, Mischa [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STORCK, Karlheinz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHIEFERDECKER, Jörg [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : LENEKE, Wilhelm; (DE).
SIMON, Marion; (DE).
SCHULZE, Mischa; (DE).
STORCK, Karlheinz; (DE).
SCHIEFERDECKER, Jörg; (DE)
Mandataire : HUDLER, Frank; Lippert, Stachow & Partner, Krenkelstr. 3, 01309 Dresden (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2005 023 333.3 17.05.2005 DE
Titre (DE) THERMOPILE INFRAROT SENSORARRAY
(EN) THERMOPILE INFRARED SENSOR ARRAY
(FR) RESEAU DE CAPTEURS A INFRAROUGE A THERMOPILE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Thermopile Infrarot Sensorarray, bestehend aus einem Sensorchip mit einer Vielzahl von Thermopile-Sensorelementen, aufgebaut auf einem Halbleitersubstrat und zugehörigen Elektronikkomponenten, wobei das Sensorchip auf einer Trägerplatine montiert und mit einer Kappe umhaust ist, in der sich eine Optik befindet. Durch die Erfindung soll ein monolithisches Infrarot-Sensorarray angegeben werden, das bei kleiner Chipgröße ein hohes thermisches Auflösungsvermögen aufweist und das kostengünstig herstellbar ist. Erreicht wird das dadurch, dass sich auf dem Halbleitersubstrat des Sensor-Chips (1) eine dünne Membran (12) aus nicht leitendem Material angeordnet ist, auf der sich Thermopile Sensorelemente (13) in einem Array befinden, wobei die Rückseite der Membran (12) unter jedem Thermopile Sensorelement (13) wabenähnlich freigeätzt ist und dass die Elektronikkomponenten im Randbereich des Sensorchips angeordnet sind, wobei für jede Spalte und jede Zeile von Sensorelementen (13, 14) jeweils ein individueller Vorverstärker VV mit nachgeschaltetem Tiefpass TP (6) vorgesehen ist.
(EN)The invention relates to a thermopile infrared sensor array, comprising a sensor chip with a number of thermopile sensor elements, made from a semiconductor substrate and corresponding electronic components, whereby the sensor chip is mounted on a support circuit board and enclosed by a cap in which a lens is arranged. The aim of the invention is the production of a monolithic infrared sensor array with a high thermal resolution capacity with a small chip size and which may be economically produced. Said aim is achieved, whereby a thin membrane (12) made from non-conducting material is arranged on the semiconductor substrate of the sensor chip (1) on which thermopile sensor elements (13) are located in an array, whereby, under each thermopile sensor element (13), the back side of the membrane (12) is uncovered in a honeycomb pattern by etching and the electronic components are arranged in the boundary region of the sensor chip. An individual pre-amplifier (VV) with a subsequent low-pass (TP) filter (6) is provided for each column and each row of sensor elements (13, 14).
(FR)La présente invention concerne un réseau de capteurs à infrarouge à thermopile qui comprend une puce de détection qui comprend une pluralité d'élément de détection à thermopile et est monté sur un substrat semi-conducteur, et des composants électroniques associés, la puce de détection étant montée sur une platine de support et étant entourée par un cache dans lequel se trouve un système optique. L'invention a pour objet de permettre l'obtention d'un réseau de capteurs à infrarouge monolithique qui a une capacité de résolution thermique élevée pour une petite taille de puce, et qui peut être réalisé avec des frais limités. A cet effet: une fine membrane (12) de matériau non conducteur recouvre le substrat à semi-conducteur de la puce de détection (1), les éléments de détection à thermopile (13) étant disposés en réseau sur cette membrane, le côté arrière de la membrane (12) étant retiré par gravure de façon alvéolaire en-dessous de chaque élément de détection à thermopile (13); et les composants électroniques sont disposés dans la zone marginale de la puce de détection, un préamplificateur individuel (VV) avec passe-bas TP (6) connecté en aval, étant respectivement prévu pour chaque colonne et chaque rangée d'éléments de détection (13, 14).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)