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1. (WO2006122271) SYSTEMES ET PROCEDES POUR PROGRAMMER DES TRANSISTORS A GRILLE FLOTTANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/122271    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/018307
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 10.05.2006
CIB :
H03K 19/173 (2006.01)
Déposants : GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION [US/US]; 505 Tenth Street, N.w., Atlanta, Georgia 30332-0415 (US) (Tous Sauf US).
GRAHAM, David W. [US/US]; (US) (US Seulement).
FARQUHAR, Ethan [US/US]; (US) (US Seulement).
GRAY, Jordan [US/US]; (US) (US Seulement).
TWIGG, Christopher M. [US/US]; (US) (US Seulement).
DEGNAN, Brian [US/US]; (US) (US Seulement).
GORDAN, Christal [US/US]; (US) (US Seulement).
ABRAMSON, David [US/US]; (US) (US Seulement).
HASLER, Paul [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GRAHAM, David W.; (US).
FARQUHAR, Ethan; (US).
GRAY, Jordan; (US).
TWIGG, Christopher M.; (US).
DEGNAN, Brian; (US).
GORDAN, Christal; (US).
ABRAMSON, David; (US).
HASLER, Paul; (US)
Mandataire : PROFFITT, JAMES A.; Troutman Sanders LLP, Bank Of America Plaza, 600 Peachtree Street, N.e., Suite 5200, Atlanta, Georgia 30308-2216 (US)
Données relatives à la priorité :
60/679,539 10.05.2005 US
11/382,640 10.05.2006 US
Titre (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR PROGRAMMING FLOATING-GATE TRANSISTORS
(FR) SYSTEMES ET PROCEDES POUR PROGRAMMER DES TRANSISTORS A GRILLE FLOTTANTE
Abrégé : front page image
(EN)A floating-gate transistor array and method for programming the same. The floating-gate transistor array includes a plurality of transistors having a source, drain, and floating-gate, whereby the plurality of transistors is arranged into multiple rows and columns. Each row of transistors includes a row programming switch having an output connected to each floating-gate within the row, while each column of transistors includes a column programming switch having an output connected to each drain within the column. The source of each transistor is coupled with a source line corresponding to the specific row of the transistor. The row and column programming switches are utilized to select and program a desired floating-gate transistor. In an indirect programming method, two transistors share a floating gate, such that programming a programmer transistor modifies the current of an agent transistor, which is attached to the circuit, thereby permitting run-time programming.
(FR)La présente invention concerne un réseau de transistors à grille flottante et un procédé pour le programmer. Le réseau de transistors à grille flottante comprend une pluralité de transistors comprenant une source, un drain et une grille flottante, la pluralité de transistors étant disposés dans de multiples rangées et colonnes. Chaque rangée de transistors comprend un commutateur de programmation de rangée ayant une sortie connectée à chaque grille flottante dans la rangée, alors que chaque colonne de transistors comprend un commutateur de programmation de colonne ayant une sortie connectée à chaque drain dans la colonne. La source de chaque transistor est couplée à la ligne de source correspondant à la rangée spécifique du transistor. Les commutateurs de programmation de rangée et de colonne sont utilisés pour sélectionner et programmer un transistor à grille flottante désiré. Dans le cadre d'un procédé de programmation indirecte, deux transistors partagent une grille flottante de sorte que la programmation d'un transistor programmateur, modifie le courant d'un transistor agent qui est connecté au circuit, ce qui permet la programmation en cours d'exécution.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)