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1. (WO2006122119) PROCEDE DE DECAPAGE EN PRESENCE DE MATERIAUX DIELECTRIQUES REGULIERS A FAIBLE K ET/OU POREUX A FAIBLE K
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/122119    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/017917
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 08.05.2006
CIB :
H01L 21/461 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6470 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : ZHU, Helen; (US).
SADJADI, Reza; (US)
Mandataire : PENILLA, Albert S.; Martine Penilla & Gencarella, LLP, 710 Lakeway Drive, Suite 200, Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
11/126,648 10.05.2005 US
Titre (EN) METHOD FOR RESIST STRIP IN PRESENCE OF REGULAR LOW K AND/OR POROUS LOW K DIELECTRIC MATERIALS
(FR) PROCEDE DE DECAPAGE EN PRESENCE DE MATERIAUX DIELECTRIQUES REGULIERS A FAIBLE K ET/OU POREUX A FAIBLE K
Abrégé : front page image
(EN)A two-step process is disclosed for stripping photoresist material from a substrate, wherein the substrate includes a low k dielectric material underlying the photoresist material and a polymer film overlying both the photoresist material and the low k dielectric material. The first step of the two-step process uses an oxygen plasma to remove the polymer film. The second step of the two-step process uses an ammonia plasma to remove the photoresist material, wherein the second step commences after completion of the first step. Each step of the two-step photoresist stripping process is respectively defined by particular values for process parameters including chemistry, temperature, pressure, gas flow rate, radio frequency power and frequency, and duration.
(FR)Un procédé en deux étapes de décapage d'une résine photosensible à partir d'un substrat, ce dernier comprenant un matériau diélectrique à faible k sous la résine photosensible et un film polymère recouvrant à la fois la résine photosensible et le matériau diélectrique à faible k. La première étape fait intervenir un plasma d'oxygène afin de supprimer le film polymère et la deuxième étape fait intervenir un plasma d'ammonium afin de supprimer la résine photosensible. Cette seconde étape commence une fois que la première étape est terminée. Chaque étape est définie respectivement par des valeurs particulières pour des paramètres de traitement, y compris chimiques, de température, de pression, de débit de gaz, de puissance radiofréquence et de fréquence, et de durée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)