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1. (WO2006121924) RESEAU DE MEMOIRE REMANENTE A HAUTE DENSITE FABRIQUE A BASSE TEMPERATURE ET RENFERMANT DES DIODES A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/121924    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/017525
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 05.05.2006
CIB :
H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/102 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D LLC [US/US]; 140 Caspian Court, Sunnyvale, California 94089 (US) (Tous Sauf US).
HERNER, S. Brad [US/US]; (US) (US Seulement).
DUNTON, Samuel V. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HERNER, S. Brad; (US).
DUNTON, Samuel V.; (US)
Mandataire : SQUYRES, Pamela J.; SANDISK 3D LLC, 3230 Scott Boulevard, Santa Clara, California 95054 (US)
Données relatives à la priorité :
11/125,606 09.05.2005 US
Titre (EN) HIGH-DENSITY NONVOLATILE MEMORY ARRAY FABRICATED AT LOW TEMPERATURE COMPRISING SEMICONDUCTOR DIODES
(FR) RESEAU DE MEMOIRE REMANENTE A HAUTE DENSITE FABRIQUE A BASSE TEMPERATURE ET RENFERMANT DES DIODES A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A memory cell is described suitable for use in a high-density monolithic three dimensional memory array. In preferred embodiments of the memory cell, a semiconductor junction diode formed of germanium or a germanium alloy which can be crystallized at relatively low temperature is formed disposed between conductors. The use of a low-temperature material allows the conductors to be formed of copper or aluminum, both low-resistivity materials that provide adequate current at very small feature size, allowing for a highly dense stacked array.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire apte à une utilisation dans un réseau de mémoire tridimensionnel monolithe à haute densité. Dans les modes de réalisation préférés de la cellule de mémoire, une diode de jonction à semi-conducteur en germanium ou en alliage au germanium, pouvant être cristallisée à une température relativement basse, est formée disposée entre des conducteurs. L'utilisation d'un matériau à basse température permet de former les conducteurs en cuivre ou en aluminium, l'un et l'autre des matériaux à faible résistivité offrant un courant adéquat avec une taille caractéristique très réduite, permettant d'obtenir un réseau empilé très dense.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)