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1. (WO2006121906) LITHOGRAPHIE PAR TRANSFERT DE DÉCALCOMANIES SUBMICRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/121906    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/017498
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 05.05.2006
CIB :
G03F 7/00 (2006.01), B41M 3/00 (2006.01), B41M 1/34 (2006.01)
Déposants : DOW CORNING CORPORATION [US/US]; P.O. Box 994, Mail C01232, Midland, MI 48686-0994 (US).
HEEJOON, Ahn [US/US]; (US) (US Seulement).
NUZZO, Ralph [US/US]; (US) (US Seulement).
SHIM, Anne [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HEEJOON, Ahn; (US).
NUZZO, Ralph; (US).
SHIM, Anne; (US)
Mandataire : SINCELL, Mark, W.; Williams, Morgan & Amerson, P.C., 10333 Richmond, Suite 1100, Houston, TX 77042 (US)
Données relatives à la priorité :
60/679,558 10.05.2005 US
Titre (EN) SUB-MICRON DECAL TRANSFER LITHOGRAPHY
(FR) LITHOGRAPHIE PAR TRANSFERT DE DÉCALCOMANIES SUBMICRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method of sub-micron decal transfer lithography. The method includes forming a first pattern in a surface of a first silicon-containing elastomer (200), bonding at least a portion of the first pattern to a substrate (210), and etching (220) a portion of at least one of the first silicon-containing elastomer and the substrate.
(FR)La présente invention concerne un procédé de lithographie par transfert de décalcomanies submicroniques. Ce procédé comprend le traçage d’un premier motif dans une surface d’un premier élastomère contenant du silicium (200), la liaison d’au moins une portion du premier motif à un substrat (210), et l’écaillage (220) d’une portion du premier élastomère contenant du silicium et/ou du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)