WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006121837) CELLULE DE MEMOIRE NON VOLATILE COMPRENANT UNE DIODE ET UN MATERIAU DE COMMUTATION DE RESISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/121837    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/017376
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 05.05.2006
CIB :
G11C 13/02 (2006.01), H01L 27/102 (2006.01), H01L 23/525 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D LLC [US/US]; 140 Caspian Court, Sunnyvale, CA 94089 (US) (Tous Sauf US).
HERNER, S., Brad [US/US]; (US) (US Seulement).
KUMAR, Tanmay [IN/US]; (US) (US Seulement).
PETTI, Christopher, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HERNER, S., Brad; (US).
KUMAR, Tanmay; (US).
PETTI, Christopher, J.; (US)
Mandataire : SQUYRES, Pamela, J.; Sandisk 3D LLC, 3230 Scott Boulevard, Santa Clara, CA 95054 (US)
Données relatives à la priorité :
11/125,939 09.05.2005 US
11/395,995 31.03.2006 US
Titre (EN) NONVOLATILE MEMORY CELL COMPRISING A DIODE AND A RESISTANCE-SWITCHING MATERIAL
(FR) CELLULE DE MEMOIRE NON VOLATILE COMPRENANT UNE DIODE ET UN MATERIAU DE COMMUTATION DE RESISTANCE
Abrégé : front page image
(EN)In a novel nonvolatile memory cell formed above a substrate, a diode is paired with a reversible resistance-switching material, preferably a metal oxide or nitride such as, for example, NixOy, NbxOy, TixOy, HfxOy, AlxOy, MgxOy, CoxOy, CrxOy, VxOy, ZnxOy, ZrxOy, BxNy, and AlxNy. In preferred embodiments, the diode is formed as a vertical pillar disposed between conductors. Multiple memory levels can be stacked to form a monolithic three dimensional memory array. In some embodiments, the diode comprises germanium or a germanium alloy, which can be deposited and crystallized at relatively low temperatures, allowing use of aluminum or copper in the conductors. The memory cell of the present invention can be used as a rewriteable memory cell or a one-time-programmable memory cell, and can store two or more data states.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire non volatile formée par-dessus un substrat, dans laquelle une diode est appariée avec un matériau de commutation de résistance réversible, de préférence un oxyde métallique ou un nitrure métallique tel que, NixOy, NbxOy, TixOy, HfxOy, AlxOy, MgxOy, CoxOy, CrxOy, VxOy, ZnxOy, ZrxOy, BxNy et AlxNy. Dans des modes de réalisation préférés, la diode se présente sous la forme d'un pilier vertical disposé entre les conducteurs. De multiples niveaux de mémoire peuvent être empilés afin de former une matrice mémoire tridimensionnelle monolithique. Dans certains modes de réalisation, la diode comprend du germanium ou un alliage de germanium qui peut être déposé et cristallisé à des températures relativement basses, de façon à permettre l'utilisation d'aluminium ou de cuivre dans les conducteurs. La cellule de mémoire selon l'invention peut servir de cellule de mémoire réinscriptible ou de cellule de mémoire à programmation unique et peut stocker au moins deux états de données.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)