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1. (WO2006121744) PRODUCTION ET CONTROLE DE PLASMA A SIGNAUX HF DOUBLE FREQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/121744    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/017075
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 04.05.2006
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, P.O. Box 58039, Santa Clara, California 95054-3299 (US) (Tous Sauf US).
SHANNON, Steven [US/US]; (US) (US Seulement).
PATERSON, Alexander [GB/US]; (US) (US Seulement).
PANAGOPOULOS, Theodoros [GR/US]; (US) (US Seulement).
HOLLAND, John [US/US]; (US) (US Seulement).
GRIMARD, Dennis [US/US]; (US) (US Seulement).
HOFFMAN, Daniel [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SHANNON, Steven; (US).
PATERSON, Alexander; (US).
PANAGOPOULOS, Theodoros; (US).
HOLLAND, John; (US).
GRIMARD, Dennis; (US).
HOFFMAN, Daniel; (US)
Mandataire : TABOADA, Alan; Moser IP Law Group, 1040 Broad Street, 2nd Floor, Shrewsbury, NJ 07702 (US)
Données relatives à la priorité :
60/679,042 09.05.2005 US
11/416,468 02.05.2006 US
Titre (EN) PLASMA GENERATION AND CONTROL USING DUAL FREQUENCY RF SIGNALS
(FR) PRODUCTION ET CONTROLE DE PLASMA A SIGNAUX HF DOUBLE FREQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)A method for controlling a plasma in a semiconductor substrate processing chamber is provided. The method includes the steps of supplying a first RF signal to a first electrode within the processing chamber at a first frequency selected to cause plasma sheath oscillation at the first frequency; and supplying a second RF signal from the source to the first electrode at a second frequency selected to cause plasma sheath oscillation at the second frequency, wherein the second frequency is different from the first frequency by a differential equal to a desired frequency selected to cause plasma sheath oscillation at the desired frequency.
(FR)Procédé de contrôle de plasma dans une chambre de traitement de substrat à semi-conducteurs : fourniture de premier signal HF à une première électrode dans la chambre à une première fréquence entraînant une oscillation de gaine de plasma à ladite fréquence; fourniture de second signal HF à la première électrode dans la chambre à une seconde fréquence entraînant une oscillation de gaine de plasma à ladite fréquence, cette seconde fréquence différant de la première de l'équivalent d'une fréquence souhaitée entraînant l'oscillation considérée à cette fréquence souhaitée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)