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1. (WO2006121565) IMPULSION TRANSITOIRE, PINCE D’ANCRAGE BICMOS DECLENCHEE PAR UN SUBSTRAT POUR REDUCTION D’ESD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/121565    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/013790
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 12.04.2006
CIB :
H02H 3/20 (2006.01), H02H 3/22 (2006.01), H02H 9/00 (2006.01), H02H 9/04 (2006.01), H01L 23/62 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, California 95131 (US) (Tous Sauf US).
PEACHEY, Nathaniel, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PEACHEY, Nathaniel, M.; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; Schneck & Schneck, P.O. Box 2-E, San Jose, California 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
11/123,305 06.05.2005 US
Titre (EN) TRANSIENT PULSE, SUBSTRATE-TRIGGERED BICMOS RAIL CLAMP FOR ESD ABATEMENT
(FR) IMPULSION TRANSITOIRE, PINCE D’ANCRAGE BICMOS DECLENCHEE PAR UN SUBSTRAT POUR REDUCTION D’ESD
Abrégé : front page image
(EN)A circuit (20; 30) for protecting a circuit device against electrostatic discharge (ESD) , power line, and voltage supply line surges. A transistor (26) , diode (27; 44, 33, 42) , resistor (24; 29; 51) , and capacitor (25; 52) are configured to clamp voltage pulses between the power (22; 61) and ground (23; 62) lines. The circuit may be constructed using a single bipolar npn transistor (41, 43, 42) formed in an isolated p-well (34) .
(FR)Circuit (20 ; 30) pour protéger un dispositif de circuit contre une décharge électrostatique (ESD), une ligne électrique et des sautes de ligne d’alimentation de tension. Un transistor (26), une diode (27 ; 44, 33, 42), une résistance (24 ; 29 ; 51) et un condensateur (25 ; 52) sont configurés pour fixer des impulsions de tension entre la ligne électrique (22 ; 61) et la ligne de terre (23 ; 62). Le circuit peut être construit à l’aide d’un transistor npn bipolaire unique (41, 43, 42) formé dans un puits p isolé (34).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)