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1. (WO2006121152) PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAUX DE NITRURE D'ELEMENTS DU GROUPE III, APPAREIL DE FABRICATION DE CRISTAUX DE NITRURE D'ELEMENTS DU GROUPE III, ET CRISTAUX DE NITRURE D'ELEMENTS DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/121152    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/309552
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 12.05.2006
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 9/10 (2006.01)
Déposants : RICOH COMPANY, LTD. [JP/JP]; 3-6, Nakamagome 1-chome, Ohta-ku, Tokyo 1438555 (JP) (Tous Sauf US).
SARAYAMA, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWATA, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUSE, Akihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SARAYAMA, Seiji; (JP).
IWATA, Hirokazu; (JP).
FUSE, Akihiro; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 1506032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-139451 12.05.2005 JP
2005-231877 10.08.2005 JP
2005-231966 10.08.2005 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING GROUP III ELEMENT NITRIDE CRYSTAL, APPARATUS FOR PRODUCING GROUP III ELEMENT NITRIDE CRYSTAL, AND GROUP III ELEMENT NITRIDE CRYSTAL
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAUX DE NITRURE D'ELEMENTS DU GROUPE III, APPAREIL DE FABRICATION DE CRISTAUX DE NITRURE D'ELEMENTS DU GROUPE III, ET CRISTAUX DE NITRURE D'ELEMENTS DU GROUPE III
(JA) III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶の製造装置及びIII族窒化物結晶
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing Group III element nitride crystals which comprises: housing in a reaction vessel a melt container in which a melt comprising a Group III metal and a flux is contained; and externally feeding a substance containing nitrogen to the reaction vessel through a piping, wherein before crystals of a Group III element nitride are grown in the melt container, a step is conducted in which a liquid residence part is formed in the piping to temporarily close the piping with the residence part.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de cristaux de nitrure d'éléments du groupe III, comprenant : la mise en place, dans une cuve de réaction, d'un récipient à mélange contenant un mélange comprenant un métal du groupe III et un flux ; et l'introduction extérieure dans la cuve de réaction, au moyen d'une tuyauterie, d'une substance contenant de l'azote, une étape de formation d'une portion de résidence de liquide étant effectuée dans la tuyauterie afin de la fermer temporairement avec la portion résidence avant la croissance des cristaux de nitrure d'éléments du groupe III dans le récipient à mélange.
(JA) III族金属とフラックスとを含む融液が保持された融液保持容器を反応容器内に収容し、外部から配管を介して前記反応容器内に窒素を含む物質を供給しつつIII族窒化物結晶を製造する方法において、前記融液保持容器内でIII族窒化物の結晶を成長させるのに先立って、前記配管内に液体の滞留部を形成し、該滞留部によって前記配管を一時的に閉塞する工程を設ける。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)