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1. (WO2006121143) APPAREIL DE COMMANDE POUR DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMMANDE PAR TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/121143    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/309530
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 02.05.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.01.2007    
CIB :
H02M 1/08 (2006.01), H03K 17/04 (2006.01), H03K 17/08 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (Tous Sauf US).
MORISHITA, Hidetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAWAKI, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Yuu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORISHITA, Hidetoshi; (JP).
YAMAWAKI, Hideo; (JP).
SUZUKI, Yuu; (JP)
Mandataire : YANO, Juichiro; YANO INTERNATIONAL PATENT OFFICE Twin 21 MID Tower 34th Floor 1-61, Shiromi 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406134 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-138964 11.05.2005 JP
Titre (EN) DRIVING APPARATUS FOR VOLTAGE-DRIVEN SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) APPAREIL DE COMMANDE POUR DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMMANDE PAR TENSION
(JA) 電圧駆動型半導体素子の駆動装置
Abrégé : front page image
(EN)A driving apparatus (10) for an IGBT (1) comprises a high-potential side switch element group including a plurality of switch elements (M1,M1') each having its one end connected to a high potential side; a low-potential side switch element group including a plurality of switch elements (M2,M2') each having its one end connected to a low potential side; a driving-type selection input terminal (10b) that receives a driving-type selection signal that is in accordance with a driving type of the IGBT (1) connected to the driving apparatus (10); a direct driving-type control part (23) and an indirect driving-type control part (24) that generate, in accordance with the driving types of the IGBT (1), control signals for performing a complementary driving control of the high-potential and low-potential side switch element groups; and a selector (25) that selects a control signal for the high-potential and low-potential side switch element groups in accordance with an inputted driving-type selection signal.
(FR)La présente invention décrit un appareil de commande (10) destiné à un IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) (1) qui comprend un groupe d'éléments de commutateurs sur un côté à potentiel élevé comprenant une pluralité d'éléments de commutateurs (M1, M1') ayant chacun son extrémité reliée à un côté à potentiel élevé, un groupe d'éléments de commutateurs à potentiel faible comprenant une pluralité d'éléments de commutateurs (M2, M2') ayant chacun son extrémité reliée à un côté à bas potentiel, un terminal d’entrée de sélection du type de commande (10b) qui reçoit un signal de sélection du type de commande conforme à un type de commande de l'IGBT (1) relié à l'appareil de commande (10), une partie de contrôle du type de commande direct (23) et une partie de contrôle du type de commande indirecte (24) qui génèrent, conformément aux types de commande de l'IGBT (1), des signaux de contrôle pour réaliser un contrôle de commande supplémentaire des groupes d'éléments de commutateurs des côtés à potentiel élevé et à potentiel bas, enfin un sélecteur (25) qui sélectionne un signal de contrôle pour les groupes d'éléments de commutateurs des côtés à potentiel élevé et à potentiel bas conformément à un signal de sélection du type de commande entré.
(JA)IGBT1の駆動装置10は、一端が高電位側に接続される複数のスイッチ素子M1・M1'を備える高電位側スイッチ素子群と、一端が低電位側に接続される複数のスイッチ素子M2・M2'を備える低電位側スイッチ素子群と、該駆動装置10に接続されるIGBT1の駆動型に応じた駆動型選択信号が入力される駆動型選択入力端子10bと、前記高電位側スイッチ素子群および低電位側スイッチ素子群を相補的に駆動制御する制御信号を、IGBT1の各駆動型に対応して生成する直接駆動型制御部23および間接駆動型制御部24と、入力された駆動型選択信号に応じて高電位側スイッチ素子群および低電位側スイッチ素子群の制御信号を選択するセレクタ25を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)