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1. (WO2006120999) PROCEDE DE PRODUCTION D’UN ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR A NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/120999    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/309241
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 08.05.2006
CIB :
H01L 33/12 (2010.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAHARA, Ken; (JP)
Mandataire : KAWAMURA, Kiyoshi; KAWAMURA & CO. Shinei Bldg. 6E 5-1, Nishinakajima4-chome Yodogawa-ku Osaka-shi Osaka5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-136179 09.05.2005 JP
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D’UN ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR A NITRURE
(JA) 窒化物半導体素子の製法
Abrégé : front page image
(EN)A method of producing a nitride semiconductor element having a (low-resistance) p-type nitride semiconductor layer high in carrier concentration by activating an acceptor without posing a problem of forming nitrogen vacancies that will occur when a high-temperature annealing is carried out over an extended time. A semiconductor laminate (6) consisting of a nitride semiconductor is formed on a substrate (1), and a laser beam having a wavelength &lgr; is applied from the front surface side of the semiconductor laminate; &lgr;=h·c/E or smaller (E is energy capable of separating off the bonding between Mg and H). Then, heat treating is carried out at 300-400æC. And, a translucent conductive layer (7) is provided similarly to a normal nitride semiconductor LED producing step, and part of the semiconductor laminate is removed by etching to form an n-side electrode (9) on an exposed n-type layer (3) and a p-side electrode (8) on the surface of the translucent conductive layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d’un élément semi-conducteur à nitrure présentant une couche semi-conductrice à base de nitrure de type-p (basse résistance) à forte concentration en porteurs en activant un accepteur sans provoquer un problème de formation de trous d’azote apparaissant lors de la réalisation d’un recuit à haute température sur une durée prolongée. Un stratifié semi-conducteur (6) composé d’un semi-conducteurs à nitrure est formé sur un substrat (1) et un faisceau laser présentant une longueur d’onde &lgr; est appliqué à partir de la surface avant du stratifié semi-conducteur ; &lgr;=h·c/E ou moins (E étant une énergie capable de séparer la liaison entre Mg et H). Un traitement thermique est ainsi effectué de 300 à 400C æ; et une couche conductrice translucide (7) est transmise de la même manière à une étape normale de production de diode semi-conductrice à nitrure, et une partie du stratifié semi-conducteur est éliminée par attaque pour former une électrode côté n (9) sur une couche de type-n exposée (3) ainsi qu’une électrode côté p (8) sur la surface de la couche conductrice translucide.
(JA) 高温のアニール処理を長時間に亘って行うことにより発生する窒素空孔の形成という問題を生じさせることなく、アクセプタの活性化を行い、キャリア濃度の高い(低抵抗の)p形の窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子の製法を提供する。  基板(1)上に窒化物半導体からなる半導体積層部(6)を形成し、その半導体積層部の表面側から、λ=h・c/E以下(EはMgとHとの結合を切り離し得るエネルギー)の波長λのレーザ光を照射する。その後に、300~400°Cの熱処理を行う。そして、通常の窒化物半導体LEDの製造工程と同様に透光性導電層(7)を設け、半導体積層部の一部をエッチングにより除去して露出するn形層(3)にn側電極(9)を、透光性導電層の表面にp側電極(8)を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)