WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
maximize
Traduction automatique
1. (WO2006120927) APPAREIL DE COMMANDE D’ELEMENT OPTIQUE, SYSTEME OPTIQUE DE PROJECTION, APPAREIL D’EXPOSITION ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF
Note: Texte fondé sur des processus automatiques de reconnaissance optique de caractères. Seule la version PDF a une valeur juridique
明 細書

光学要素駆動装置、投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 技術分野

[0001] 本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子等のデバイスの製造プロセス及びレ チクル、フォトマスク等のマスクの製造プロセスにおけるリソグラフイエ程で使用される 露光装置の光学要素を駆動する光学要素駆動装置、光学要素駆動装置を備えた投 影光学系及び露光装置、並びに、露光装置を用いたデバイスの製造方法に関する。 背景技術

[0002] —般に、半導体素子、液晶表示素子等のデバイスを製造するためのリソグラフイエ 程では、レチクル、フォトマスク等のマスクに形成された所定のパターンを、投影光学 系を介して、レジストの塗布されたウェハやガラスプレート等の基板上に転写する露 光装置が用いられる。転写するパターンが高集積化要求に対応するべく微細化して いることから、露光装置の露光精度の向上及び解像性能の向上に加え、露光装置に 含まれる光学要素の位置合わせ精度の向上が不可欠である。

[0003] ところが、従来の露光装置では、露光装置の外部や内部からの振動が露光装置に 含まれる光学要素(レンズ、ミラー等)に伝達されることがある。振動の伝達により、光 学要素の位置や姿勢が変化し、光学要素の位置合わせ精度が低下する虞があった 。そこで、振動減衰機能を有するダンパ機構を備えた露光装置が提案されている。 例えば特許文献 1参照。

[0004] 特許文献 1の露光装置では、投影光学系内に固定された固定部としての固定プロ ックにパラレルリンク機構からなる姿勢調整機構を介して中間ブロックが支持されてい る。この中間ブロックに光学要素が保持されている。姿勢調整機構は、中間ブロック の位置と姿勢を 6自由度で調整する。この姿勢調整機構の駆動によって光学要素は 中間ブロックと共に変位する。これにより、光学要素の位置と姿勢が調整される。

[0005] 中間ブロックには、軸受けを介して追カ卩質量が支持される。中間ブロックは追カロ質 量と対向し、離間している。中間ブロックと追カ卩質量との対向面には互いに吸引し合 うように複数個の磁石が配置されている。中間ブロックの磁石と追加質量の磁石との 間には、固定ブロック(又は中間ブロック)に支持された導体板が配置されている。振 動伝播時には、この導体板と磁石が相対移動し、渦電流を発生する。この渦電流は 振動を減衰する力を生じるのに利用される。導体板と磁石は磁気ダンパとして機能 する。

特許文献 1 :特開 2004— 340372号公報(米国特許出願公開第 2004/212794号 明細書)

発明の開示

[0006] 特許文献 1の露光装置では、複数個の磁石が中間ブロックと追加質量に固定され ている。各磁石に対面する導体板は、固定ブロックに支持される力 \各磁石とともに 中間ブロックや追加質量に支持される。すなわち、特許文献 1の露光装置では、ダン パ機構 (磁気ダンバ)は、中間ブロック(可動部)と固定ブロック(固定部)に跨って設 置されるか、又は、中間ブロック(可動部)にのみ設置される。

[0007] そのため、特許文献 1の露光装置では、姿勢調整機構が光学要素の位置と姿勢を 調整するときに、次の不具合が生じる。

[0008] (i)姿勢調整機構は光学要素と共に、追加質量や磁石も駆動しなければならないた め、姿勢調整機構の駆動負担 (重量)が過大となり、光学要素の位置と姿勢を高精度 で調整することが困難になる。

[0009] (ii)特にダンパ機構が中間ブロックと固定ブロックに跨って設置された状態で、姿勢 調整機構が中間ブロック及び追加質量を変位させるとき、中間ブロックに固定された 各磁石と固定ブロックに支持された導体板とが相対移動する。この場合、導体板にお いては相対移動方向とは逆方向へ作用する制振力が生じる。この制振力は光学要 素の位置と姿勢を調整するために駆動された姿勢調整機構の本来的な駆動力に影 響し、光学要素の位置と姿勢の調整を更に困難にする。

[0010] 本発明の目的は、光学要素に対する振動伝播を抑制しつつ、光学要素の位置及 び姿勢の少なくとも一方を良好に調整でき、光学要素の位置決め精度を向上するこ とができる光学要素駆動装置、前記光学要素駆動装置を備えた投影光学系、前記 投影光学系を備えた露光装置、及び、前記露光装置を用いたデバイスの製造方法 を提供することにある。

[0011] 上記目的を達成するために、本発明の一側面によれば、固定部と、光学要素を移 動して、固定部に対する光学要素の位置及び姿勢の少なくとも一つを調整する駆動 機構と、固定部に設けられ、光学要素及び駆動機構の少なくとも一方に振動が伝わ るのを抑制するダンパ機構とを備える光学要素駆動装置が提供される。

[0012] 一実施形態では、ダンバ機構は、質量体と、質量体を固定部に対して変位可能に 支持する弾性体と、弾性体が弾性変形したときに質量体が変位するのを抑制する制 振部材とを備える。

[0013] 一実施形態では、ダンパ機構は質量体、弾性体及び制振部材を収容する気密室 を区画するケーシングを更に備える。

[0014] 一実施形態では、ダンパ機構は、気密室を区画するケーシングと、ケーシングの外 側に配置され、固定部が振動したときに弾性変形する弾性体と、気密室に配置され る質量体と、気密室において、質量体とケーシングとの間に配置され、質量体の振動 を吸収する制振部材とを備え、質量体は制振部材のみに接触している。

[0015] 一実施形態では、光学要素は、駆動機構を介して固定部に取り付けられている。

[0016] 一実施形態では、駆動機構は、光学要素を固定部に対して 6方向に駆動する、 6 自由度を有するパラレルリンク機構を含み、パラレルリンク機構は、各々が 2本の一組 のリンクからなる複数のリンク対を含み、複数のリンク対は固定部に分散して取り付け られており、ダンバ機構は、固定部に分散して取り付けられた複数のダンバ機構のう ちの一つであり、各ダンバ機構は駆動機構の隣接する 2つのリンク対の間に配置され ている。

[0017] 一実施形態では、駆動機構とダンバ機構の両方が固定部に固定されており、駆動 機構が光学要素を移動するときに固定部は不動である。

[0018] 一実施形態では、ダンバ機構は駆動機構から離れた位置において固定部に固定 されている。

[0019] 一実施形態では、ダンバ機構は固定部のみに固定されている。

[0020] 本発明の別の側面によれば、所定のパターンを基板上に投影する投影光学系が 提供される。その投影光学系は、光学要素の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整 する上記の光学要素駆動装置を備える。

[0021] 一実施形態では、投影光学系は、光学要素を収容する鏡筒ユニットを更に備え、 固定部は、鏡筒ユニットの一部に不動に固定されている。

[0022] 一実施形態では、鏡筒ユニットと固定部との間に配置され、鏡筒ユニットに対する 固定部の位置を調整する位置調整部材を更に備える。

[0023] 一実施形態では、固定部は光学要素を収容する鏡筒ユニットである。

[0024] 一実施形態では、光学要素を収容する鏡筒ユニットを更に備え、ダンバ機構は固 定部と鏡筒ユニットとの両方に接触し、固定部は、ダンパ機構を介して鏡筒ユニットに 取り付けられている。

[0025] 本発明は、更に、上記の投影光学系を介して所定のパターンを基板上に露光する 露光装置を提供する。本発明は更に、露光装置を用いて露光を行うリソグラフイエ程 を含むデバイスの製造方法を提供する。

図面の簡単な説明

[0026] [図 1]本発明の第 1実施形態に従う露光装置の概略図。

[図 2]投影光学系を構成するミラーの配置構成を示す概略図。

[図 3]投影光学系に含まれる一つの鏡筒ユニットの部分破断斜視図。

[図 4]図 3の鏡筒ユニットの平面図。

[図 5]ダンバ機構の説明図。

[図 6]本発明の第 2実施形態に従うダンバ機構の説明図。

[図 7]デバイスの製造工程のフローチャート。

[図 8]半導体デバイスの製造工程のフローチャート。

発明を実施するための最良の形態

[0027] 図 1乃至図 5を参照して、本発明の第 1実施形態に従う走査型露光装置を説明する 。走査型露光装置はステップ 'アンド'スキャン方式であり、半導体素子の製造に使用 される。

[0028] 図 1に示すように、露光装置 10は、減圧可能な真空チャンバ(図示略)内に設置さ れるものであり、ベースプレート BP上に組み上げられたコラム枠 11を有している。コラ ム枠 11の側部(図 1では左側部)には光源 12が配置される。コラム枠 11内の略中央 部には投影光学系 POが配置されている。投影光学系 P〇と光源 12との間には図示 しなレ、照明光学系が配置されてレ、る。

[0029] ベースプレート BPとコラム枠 11との間には、除振装置 5が配置されている。従って、 ベースプレート BPを介して、露光装置 10が設置される床から進入する外乱振動を低 減することができる。光源 12はコラム枠 11とは独立に配置してもよい。

[0030] 光源 12は、 EUVの露光光(軟 X線波長の光) ELを照明光学系に向けて出射する 。一実施形態では、光源 12は露光光 ELを水平方向(図 1では Y軸方向)に出射する 。光源 12の例は、主に波長 5〜20nm、例えば波長 l lnmの露光光 ELを出射するレ 一ザ励起プラズマ光源である。

[0031] 投影光学系 POは、図 2に示すように、鏡筒 14を備える。鏡筒 14は、投影光学系 P 〇における光軸 AXと平行な Z軸方向に沿って積層された複数 (例えば 5つ)の鏡筒 ユニット 14a〜14eによって構成される。複数(例えば 7つ)のミラー(光学要素) M, M 1〜M6が鏡筒 14内に収容されている。ミラー Mは、投影光学系 POの鏡筒 14内に 配置されているが、照明光学系の一部を構成する光学要素である。ミラー Mを除く 6 つのミラー M1〜M6は投影光学系 POを構成する光学要素である。

[0032] 図 2に示すように、 6つのミラー M1〜M6は、上から順にミラー M2、ミラー M4、ミラ 一 M3、ミラー Ml、ミラー M6、ミラー M5の順に鏡筒 14内に配置されている。ミラー M2及びミラー M4は最上段の鏡筒ユニット 14a内に収容されている。ミラー M3は上 から二段目の鏡筒ユニット 14b内に収容されている。ミラー Mlは中段の鏡筒ユニット 14c内に収容されている。ミラー M6は下から二段目の鏡筒ユニット 14d内に収容さ れている。ミラー M5は最下段の鏡筒ユニット 14e内に収容されている。ミラー M5、 M 6は露光光 ELの光路上に切り欠きを有する。

[0033] 図 1に示すように、鏡筒 14の側壁と上壁には、開口 15a, 15bがそれぞれ形成され ている。一例では、開口 15aは鏡筒ユニット 14aと鏡筒ユニット 14bに跨って形成され た矩形状の開口である。光源 12から出射された露光光 ELは、開口 15aを介して、投 影光学系 P〇の鏡筒 14内に一旦入射する。鏡筒 14内において、開口 15aの近傍に は前述したミラー Mが配置されている。ミラー Mは、入射した露光光 ELを上方に向け て反射する。露光光 ELは開口 15bを介して、鏡筒 14の外部へ出射される。

[0034] 図 1に示すように、コラム枠 11の上方にレチクルベース定盤 16が XY面に平行に配 置されている。レチクルベース定盤 16の上方には、レチクルステージ RSTが浮上配 置される。レチクルステージ RSTは、例えば磁気浮上型二次元リニアァクチユエータ 等からなるレチクルステージ駆動部 17Rにより駆動される。レチクルベース定盤 16は 、開口 15bから出射された露光光 ELの通過を許容する開口(図示略)を有する。

[0035] レチクルステージ RSTの下面には、所定のパターン(例えば回路パターン)の形成 されたパターン面を有する反射型のレチクル Rがパターン面を下側に向けた状態で 配置され、レチクルホルダ(図示略)により保持されている。レチクルステージ駆動部 1 7Rは、レチクルステージ RSTを主として X軸方向及び Y軸方向に移動させる。レチク ルレーザ干渉計 18Rはレチクルステージ RSTの位置を常時検出する。

[0036] コラム枠 11内の下部には、ウェハベース定盤 19が XY平面に沿うように配置されて いる。ウェハベース定盤 19の上方には、ウェハステージ WSTが浮上配置されている 。ウェハステージ WSTは、例えば磁気浮上型二次元リニアァクチユエータ等からなる ウェハステージ駆動部 17Wにより駆動される。ウェハステージ WST上には、レジスト の塗布された上面を有するウエノ、(基板) Wがウェハホルダ(図示略)により保持され ている。ウェハステージ駆動部 17Wはウェハステージ WSTを主として X軸方向及び Y軸方向に移動させる。ウェハレーザ干渉計 18Wはウェハステージ WSTの位置を 常時検出する。

[0037] 図 3を参照して、ミラー Ml〜M6の位置と姿勢を調整する光学要素駆動装置を説 明する。

[0038] 図 3は、鏡筒 14に含まれる中段の鏡筒ユニット 14cを示す。鏡筒ユニット 14cの下 部には、内側に水平に延びるフランジ部 20が形成されている。円環状のァウタリング (固定部) 21は位置調整部材としての複数の調整用ヮッシャ 22を介してフランジ部 2 0に支持されている。ァウタリング 21はミラー Mの位置や姿勢を調整する時であって もフランジ部 20に対して不動である。

[0039] 図 4に示すように、複数の調整用ヮッシャ 22は、等角度間隔 (例えば 120度)で分 散して配置され、ァウタリング 21の周方向の等分点 (例えば 3等分点)を支持する。各 調整用ヮッシャ 22の高さを調整することにより、フランジ部 20に対するァウタリング 21 の位置を調整することができる本実施形態では、ァウタリング 21をフランジ部 20に対 して水平になるように調整してレ、る。

[0040] ァウタリング 21上には、パラレルリンク機構 23とインナリング 24とを含む駆動機構 2 5が設けられている。パラレルリンク機構 23はインナリング 24を変位可能に支持する 。インナリング 24は円環状である。インナリング 24上には、複数 (例えば 3つ)のミラー 保持部材 26a, 26b, 26cを介してミラー Mlが保持されている。パラレルリンク機構 2 3は、インナリング 24を変位させることにより、ァウタリング 21に対するミラー Mlの位 置と姿勢のうちの少なくとも一方を調整する。

[0041] ノラレルリンク機構 23は、インナリング 24をァウタリング 21に対して変位可能に連 結する。パラレルリンク機構 23は、インナリング 24をァウタリング 21に対して 6方向に すなわち 6自由度で駆動する。 6自由度は、 X軸方向の変位(Δ χ)、 Y軸方向の変位 ( A y)、 Z軸方向の変位( Δ z)、 X軸回りの回転( θ X)、 Y軸回りの回転( Θ y)、及び Z 軸回りの回転( Θ z)が可能であることを意味する。図 3の例では、パラレルリンク機構 2 3は、ァウタリング 21に分散して配置された 3つのリンク対によって構成される。各リン ク対は 2本一組のリンク 27によって構成される。各リンク 27の両端はァウタリング 21と インナリング 24に球面対偶を介して接続されている。

[0042] 各リンク 27は、第 1軸部材 28と、第 1軸部材 28に接続又は連結された第 2軸部材 2 9とを含む。第 1軸部材 28の一端(下端)はァウタリング 21にボールジョイント 30を介 して取り付けられている。第 2軸部材 29の一端(上端)はインナリング 24にボールジョ イント(図示略)を介して取り付けられている。第 1軸部材 28及び第 2軸部材 29の少な くとも一方には、リンク 27の長さ、すなわち、第 1軸部材 28の下端と第 2軸部材 29の 上端との距離を変更可能なァクチユエータ (例えば、圧電素子など)が設けられてい る。従って、各リンク 27は伸縮可能である。

[0043] 図 3及び図 4に示すように、複数 (例えば 3つ)のダンバ機構 31は等角度間隔 (例え ば 120度)でァウタリング 21に分散して配置される。各ダンバ機構 31は隣接する 2つ のリンク対の間に配置される。図 4の例では、 3つのダンパ機構 31と、パラレルリンク 機構 23の 3つのリンク対とは、等角度間隔(60度間隔)で配置されている。ダンパ機 構 31及び駆動機構 25により光学要素駆動装置 50が構成される。

[0044] 図 5に示すように、各ダンパ機構 31は、ァウタリング 21上に固定される矩形のベー

ス部材 32と、ベース部材 32上に固定されるカバー 33とを含む。ベース部材 32とカバ 一 33は大気圧雰囲気の気密室 35を区画するケーシング 34として機能する。ベース 部材 32とカバー 33との間には、気密性を向上させるために気密用シール材を配置 することが望ましい。各ダンバ機構 31は、気密室 35内に収容された所定質量の質量 体 36、アイソレータ機能を有する弾性体 37、及び、ダンバ機能を有する制振部材 38 を更に含む。アイソレータ機能を有する弾性体 37の例はスプリングである。ダンパ機 能を有する制振部材 38の例はラバーフォームである。スプリング 37とラバーフォーム 38は質量体 36をケーシング 34内に浮上支持する。ァウタリング 21が振動したとき、 質量体 36はスプリング 37の弾性変形を伴って慣性的に振動方向に変位し、その後 、その振動方向の変位はラバーフォーム 38により減衰される。

[0045] 鏡筒ユニット 14c以外の他の鏡筒ユニット 14a, 14b, 14d, 14eにおレ、ても、鏡筒 ユニット 14cと同様に、各ミラー M2〜M6がそれぞれ駆動機構 25を介して固定部とし てのァウタリング 21上に位置及び姿勢の少なくとも一方を調整可能に支持されてい る。そのァウタリング 21上には駆動機構 25におけるパラレルリンク機構 23の 3対のリ ンク対の間に位置するようにして 3つのダンパ機構 31が配置されている。

[0046] 次に、露光装置 10の作用を説明する。

[0047] 光源 12が射出した露光光 ELは、投影光学系 POの鏡筒 14に形成された開口 15a を介して鏡筒 14内に入射し、そして、ミラー Mにより上向きに反射され、鏡筒 14の開 口 15bを介してレチクル Rに所定の入射角で入射する。このとき、露光光 ELは円弧ス リット状の照明光となって、レチクル Rのパターン面を照明する。

[0048] レチクル Rのパターン面で反射された露光光 ELは、再び投影光学系 POの鏡筒 14 内に入射する。図 2に示すように、露光光 ELはミラー Ml, M2, M3, M4, M5で順 次反射され、ミラー M6で集光されて、ウェハ W上に照射される。従って、ウェハ W上 の複数のショット領域の各々にレチクル Rに形成された所定のパターン(回路パター ンなど)がステップ ·アンド 'スキャン方式で転写される。

[0049] 例えば露光装置 10が設置された建物(図示略)が振動した場合、又はウェハステ ージ WSTゃレチクルステージ RSTの駆動に伴いコラム枠 11が振動した場合、除振 装置 5でその振動が低減されるものの、露光精度に影響を及ぼすわずかな振動が投

影光学系 P〇における鏡筒 14に伝播する可能性がある。図 3に示す鏡筒ユニット 14c を例にすると、フランジ部 20上に調整用ヮッシャ 22を介して支持されたァウタリング 2 1が振動する。しかし、ァウタリング 21の振動は、ダンバ機構 31により減衰されるため 、駆動機構 25を介してミラー Mlに伝播されなレ、。

[0050] ダンバ機構 31の振動減衰機能を説明する。

[0051] ダンバ機構 31では、ケーシング 34内の質量体 36がァウタリング 21の振動に伴って スプリング 37を弾性変形させながらァウタリング 21の振動を抑制する方向へ慣性的 に変位する。ラバーフォーム 38は質量体 36のァウタリング 21に対する相対的な変位 エネルギーを吸収する。これにより、質量体 36の変位量は次第に減衰される。これに より、鏡筒 14 (鏡筒ユニット 14c)からァウタリング 21に伝播した振動力ァウタリング 2 1から駆動機構 25を介してミラー Mlへ更に伝播することが抑制される。

[0052] 露光装置 10の鏡筒 14 (各鏡筒ユニット 14a〜14e)内は、不活性ガス若しくは真空 雰囲気であるが、第 1実施形態では、ダンパ機構 31が気密室 35を備えたケーシング 34を有しており、そのケーシング 34の気密室 35内に、ダンパ機構 31の要部となる質 量体 36、スプリング 37、ラバーフォーム 38が収容されている。そのため、鏡筒 14内と ケーシング 34の気密室 35内との間でガス交換がなぐ相互の機能を劣化させる、例 えば相互の雰囲気に影響を及ぼすことがない。

[0053] 第 1実施形態の露光装置 10によれば、以下の作用効果を得ることができる。

[0054] (1)露光装置 10の外部(建物等)や内部(ウェハステージ WST等)からの振動が投 影光学系 P〇の鏡筒 14に伝わり、その振動がァウタリング 21を介してミラー M1〜M6 に伝播しょうとしても、ァウタリング 21に設けられたダンバ機構 31が振動減衰機能を 発揮し、ミラー M1〜M6への振動伝播を抑制する。そのため、そのような振動に起因 したミラー M1〜M6の位置や姿勢の変位がなくなり、投影光学系 POにおける各ミラ 一 M1〜M6の位置決め精度の低下を好適に抑制することができる。

[0055] (2)ダンパ機構 31は固定部としてのァウタリング 21に支持されているため、ダンバ 機構 31の重量が投影光学系 P〇の各ミラー Ml〜M6の位置や姿勢を調整する駆動 機構 25の駆動の負荷にならない。したがって、投影光学系 P〇では駆動機構 25によ り各ミラー M1〜M6の位置や姿勢を良好に調整することができる。

[0056] (3)ダンパ機構 31は、所定質量の質量体 36と、質量体 36を変位可能に支持する スプリング 37と、スプリング 37の弾性変形に伴う質量体 36の変位 (振動)を抑制する 方向に減衰させるラバーフォーム 38とからなる簡単な構成であるため、良好な減衰 機能を発揮するダンパ機構 31を安価に得ることができる。

[0057] (4)ダンパ機構 31は、その要部構成となる質量体 36やスプリング 37及びラバーフ オーム 38がケーシング 34の気密室 35内に収容されているため、鏡筒 14内との間で ガス交換がなレ、。したがって、ダンパ機構 31の構成材料の選択において、鏡筒 14内 の雰囲気への影響を考慮する必要はない。よって、所望の減衰機能に応じてダンパ 機構 31の構成材料 (質量体 36やラバーフォーム 38等)を自由に選択することができ る。

[0058] (5)各光学要素駆動装置 50に含まれるパラレルリンク機構 23は対応するミラー Ml 〜M6をァウタリング 21に対して 6方向に駆動するため、各ミラー M1〜M6の位置及 び姿勢の少なくとも一方を精緻に調整することが可能となり、露光精度の向上に寄与 する。

[0059] (6)ァウタリング 21上において各ダンパ機構 31は駆動機構 25における各パラレノレ リンク機構 23の 3つのリンク対の間に配置されている。このため、ダンパ機構 31が各 ノ レルリンク機構 23のリンク 27の動きに支障を与えることもなぐ良好な駆動状態を 実現すること力 Sできる。

[0060] (7)ァウタリング 21上においてダンバ機構 31とパラレルリンク機構 23は、投影光学 系 P〇における光軸 AXを中心として等角度間隔(60度間隔)で配置されている。この ため、ダンバ機構 31の重量により各鏡筒ユニット 14a〜14e内での光学要素駆動装 置 50の重心の偏りが防止される。

[0061] 次に、本発明の第 2実施形態について説明する。

[0062] 第 2実施形態では、ダンバ機構の具体的構成においてのみ第 1実施形態と異なる 。以下の説明ではダンバ機構を中心に説明し、第 1実施形態の構成と同一構成につ レ、ては同一符号を付すことにより重複説明を省略する。

[0063] 図 6に示すように、第 2実施形態のダンバ機構 41では、ケーシング 34はァウタリング 21上に固定される矩形のベース部材 32と、ベース部材 32上に固定されるカバー 33 とを含み、大気圧雰囲気の気密室 35を有する。ベース部材 32とカバー 33との間に は、気密性を向上させるために気密用シール材を配置することが望ましい。気密室 3 5内には所定質量の質量体 36が配置されている。質量体 36とベース部材 32との間 には質量体 36の鉛直方向の変位を抑制するラバー体 42aが配置されている。質量 体 36とカバー 33の側面との間には質量体 36の水平方向の変位を抑制するラバー 体 42b, 42cが配置されている。カバー 33の上壁 33aには貫通孔 43が形成されてい る。天板部 44bとシャフト 44aとを含む T字断面を有する押圧部材 44はカバー 33の 上壁 33aに対して移動可能に支持されている。貫通孔 43には押圧部材 44のシャフト 44aが揷通されている。シャフト 44aと貫通孔 43との間に配置されたシール材 45は気 密室 35の気密を維持する。

[0064] 気密室 35内において押圧部材 44のシャフト 44aの端には、天板部 44bと略平行な 平坦な押圧板 46が固定されている。押圧板 46と質量体 36との間には質量体 36の 鉛直方向の変位を抑制するラバー体 42dが配置されている。ラバー体 42a〜42dは ダンパ機能を有する制振部材として機能する。図 6の例では、質量体 36はラバー体 4 2a〜42dのみと接角虫してレ、る。カノく一 33の上壁 33aと甲圧咅材 44の天板咅 B44bとの 間にはアイソレータ機能を有する弾性体 37が配置されている。弾性体 37の例はスプ リングである。ァウタリング 21の振動時には質量体 36がスプリング 37を弾性変形させ ながら振動方向に変位する。ラバー体 42a〜42dは質量体 36の変位量を次第に減 衰させる。したがって、第 2実施形態によれば、第 1実施形態の(1)〜(7)と略同様の 作用効果を得ることができる。

[0065] 各実施形態は以下のように変更してもよレ、。

[0066] ダンバ機構 31 , 41は、鏡筒ユニット 14a〜14eにおけるフランジ部 20に配置されて もよレ、。この場合、鏡筒ユニット 14a〜14eの一部(フランジ部 20)が固定部として機 能する。鏡筒 14に伝播した振動は、鏡筒ユニット 14a〜14eに設けられたダンパ機構 31, 41により減衰される。よって、各ミラー M1〜M6への振動伝播が抑制される。

[0067] 鏡筒ユニット 14a〜 14eにおけるフランジ部 20とァウタリング 21との間には位置調 整部材としての調整用ヮッシャ 22を介在させず、フランジ部 20上にァウタリング 21を 直接支持してもよい。

[0068] 調整用ヮッシャ 22に代えて、ケーシング 34を有するダンパ機構 31 , 41を鏡筒ュニ ット 14a〜14eの一部(フランジ部 20)とァウタリング 21との間に配置してもよレ、。この 場合、固定部としてのァウタリング 21は、ダンバ機構 31 , 41を介して鏡筒ユニット 14 a〜14eの一部に取り付けられる。

[0069] 光学要素駆動装置 50の駆動機構 25は、各ミラー Ml〜M6の位置及び姿勢の何 れか一方を調整するものであってもよい。

[0070] 光学要素駆動装置 50の駆動機構 25において、インナリング 24を省略し、パラレノレ リンク機構 23の各リンク対により各ミラー M1〜M6を直接に支持してもよい。

[0071] ダンパ機構 31 , 41を有する光学要素駆動装置 50は、鏡筒 14の鏡筒ユニット 14a

〜14e内に収容されたミラー M1〜M6のうち少なくとも一つのミラー(例えば、鏡筒ュ ニット 14c内のミラー Ml)を調整してもよい。

[0072] 鏡筒ユニット 14a〜14e内において固定部としてのァウタリング 21上に配置される ダンパ機構 31 , 41の個数は、 3つ以外の個数 (例えば 1つ、 2つ又は 4つ以上)であ つてもよい。また、ダンパ機構 31, 41は等角度間隔以外の間隔で配置されてもよい。

[0073] ダンパ機構 31 , 41のケーシング 34内の気密室 35は、大気圧雰囲気でなく真空雰 囲気でもよい。この場合、大気圧雰囲気下でダンパ機構 31, 41を製造し、その後、 気密室 35を減圧すればょレヽ。

[0074] 第 1実施形態のダンパ機構 31において、カバー 33を省略してもよい。この場合、質 量体 36はスプリング 37及びラバーフォーム 38を介して鏡筒 14内に露出したベース 部材 32上に支持される。

[0075] ダンバ機構 31 , 41の制振部材として、ラバーフォーム 38やラバー体 42a〜42dの 他に、ゲル、オイル、グリースなどの粘性体を用いることができる。

[0076] 各実施形態において光学要素はミラー M1〜M6に限定されず、平行平板、レンズ

、ハーフミラーなどの他の光学要素であってもよい。

[0077] 各実施形態において光学要素駆動装置 50は、照明光学系に設けられていてもよく

、例えば顕微鏡、干渉計などの光学系の光学要素を駆動してもよい。

[0078] 露光装置 10における投影光学系 P〇は、全反射タイプに限らず、反射屈折タイプ、 全屈折タイプであってもよい。露光装置 10は、縮小露光型に限らず、等倍露光型又

は拡大露光型であってもよぐさらに、ステップ ·アンド'リピート方式のものであっても よい。

[0079] 露光装置 10の光源 12から出射される露光光は、 EUV光に限定されず、例えば g 線(436nm)、 i線(365nm)、 KrFエキシマレーザ(248nm)、 Kr 2レーザ(146nm)

、 ArFエキシマレーザ(193nm)、 F 2レーザ(157NM)、 Ar 2レーザ(126nm)等を用 いてもよい。

[0080] 露光装置 10は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられて デバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、又は薄膜磁気ヘッド等の 製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ等へ転写する露光装置、又は CCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。例えば国際 公開 WO99/49504号パンフレットで開示されている液浸型の露光装置であっても よい。

[0081] 次に、露光装置 10をリソグラフイエ程で使用したデバイスの製造方法を説明する。

[0082] 図 7は、デバイス (ICや LSI等の半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等) 、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。図 7 に示すように、まず、ステップ S101 (設計ステップ)において、デバイス(マイクロデバ イス)の機能と性能設計 (例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能 を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップ S102 (マスク製作ステップ )において、設計した回路パターンを形成したマスク(レクチル R等)を製作する。一方 、ステップ S103 (基板製造ステップ)において、シリコン、ガラスプレート等の材料を 用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウェハ Wとなる。)を製造する。

[0083] 次に、ステップ S104 (基板処理ステップ)において、ステップ S101〜S103で用意 したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実 際の回路等を形成する。次いで、ステップ S105 (デバイス組立ステップ)において、 ステップ S 104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。ステップ S 105には、 ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程 (チップ封入等)等のェ 程が必要に応じて含まれる。

[0084] 最後に、ステップ S 106 (検査ステップ)において、ステップ S 105で作製されたデバ イスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検查を行う。こうした工程を経た後にデバィ スが完成し、これが出荷される。

[0085] 図 8は、半導体デバイスの場合における、図 7のステップ S104の詳細なフローの一 例を示す図である。図 8において、ステップ S111 (酸化ステップ)では、ウェハ Wの表 面を酸化させる。ステップ S112 (CVDステップ)では、ウェハ W表面に絶縁膜を形成 する。ステップ S113 (電極形成ステップ)では、ウェハ W上に電極を蒸着によって形 成する。ステップ S 114 (イオン打込みステップ)では、ウェハ Wにイオンを打ち込む。 以上のステップ S111〜S114のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を 構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。

[0086] ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のように して後処理工程が実行される。後処理工程では、まず、ステップ S115 (レジスト形成 ステップ)において、ウェハ Wに感光剤を塗布する。引き続き、ステップ S 116 (露光ス テツプ)において、先に説明したリソグラフィシステム(露光装置 10)によってマスク(レ チクル R)の回路パターンをウェハ W上に転写する。次に、ステップ S117 (現像ステ ップ)では露光されたウェハ Wを現像し、ステップ S118 (エッチングステップ)におレ、 て、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。 ステップ S119 (レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレ ジストを取り除く。

[0087] これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ W上に多重 に回路パターンが形成される。以上説明した実施形態のデバイス製造方法を用いれ ば、露光工程 (ステップ S116)において上記の露光装置 10が用いられ、真空紫外域 の露光光により解像力の向上が可能となり、しかも露光量制御を高精度に行うことが できる。従って、結果的に最小線幅が 0. l z m程度の高集積度のデバイスを歩留ま りょく生産することができる。