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1. (WO2006120897) COMPOSITION DE RÉSISTANCE POSITIVE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF RÉSISTANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/120897    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/308693
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 26.04.2006
CIB :
G03F 7/039 (2006.01), C08F 220/28 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (Tous Sauf US).
MUROI, Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ATSUCHI, Kota [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAMURA, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMADA, Masakazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAISYO, Kensuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKESHITA, Masaru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAGISHI, Takanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OIKAWA, Tomo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MUROI, Masaaki; (JP).
ATSUCHI, Kota; (JP).
NAKAMURA, Takahiro; (JP).
YAMADA, Masakazu; (JP).
SAISYO, Kensuke; (JP).
TAKESHITA, Masaru; (JP).
YAMAGISHI, Takanori; (JP).
OIKAWA, Tomo; (JP)
Mandataire : TANAI, Sumio; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 1048453 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-137777 10.05.2005 JP
Titre (EN) POSITIVE RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
(FR) COMPOSITION DE RÉSISTANCE POSITIVE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF RÉSISTANT
(JA) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
Abrégé : front page image
(EN)A positive resist composition that ensures less defect, excelling in lithographic characteristics; and a method of forming a resist pattern therewith. There is provided a positive resist composition comprising resin component (A) having in its main chain a structural unit derived from an (&agr;-lower alkyl)acrylic ester whose solubility in alkali is increased by the action of an acid and acid generator component (B) capable of generating an acid upon radiation exposure, wherein the resin component (A) is a copolymer having at least two types of constituent units obtained by in production through polymerization of at least one type of monomer, causing an acid to be present.
(FR)Composition de résistance positive assurant une diminution des défauts, présentant d’excellentes caractéristiques lithographiques ; et procédé de formation d’un motif résistant utilisant cette composition. La présente invention concerne une composition de résistance positive comprenant un composant de résine (A) présentant dans sa chaîne principale une unité structurelle dérivée d’un ester de (&agr;-alkyle inférieur)acrylique dont la solubilité dans les alcalins est augmentée par l’action d’un acide, et un composant générateur d’acide (B) capable de générer un acide lors de l’exposition aux radiations, le composant de résine (A) étant un copolymère comportant au moins deux types d’unités constituantes obtenu par production par polymérisation d’au moins un type de monomère, entraînant la présence d’un acide.
(JA) ディフェクトが少なく、かつリソグラフィー特性にも優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法が提供される。上記組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する、(α-低級アルキル)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する樹脂成分(A)、および放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)が、少なくとも1種の単量体を重合させて製造する際に酸を存在させることにより得られる少なくとも2種の構成単位を有する共重合体である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)