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1. (WO2006120884) CIRCUIT DE COMMANDE DE CHARGE DE BATTERIE ET D’ALLUMAGE DE LAMPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/120884    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/308589
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 24.04.2006
CIB :
B60Q 1/00 (2006.01), H02J 7/14 (2006.01), H05B 39/04 (2006.01), B62J 6/02 (2006.01)
Déposants : SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (Tous Sauf US).
TAKASHIMA, Toyotaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NIIZEKI, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKASHIMA, Toyotaka; (JP).
NIIZEKI, Seiji; (JP)
Mandataire : SHOBAYASHI, Masayuki; Takase Bldg. 25-8, Higashi-ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-134477 02.05.2005 JP
2005-253198 01.09.2005 JP
2005-338471 24.11.2005 JP
Titre (EN) BATTERY CHARGING AND LAMP LIGHTING CONTROL CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE DE CHARGE DE BATTERIE ET D’ALLUMAGE DE LAMPE
(JA) バッテリ充電およびランプ点灯制御回路
Abrégé : front page image
(EN)During a non-charging time, a thyristor (7-1) maintains its off even if any half-wave component (Wp) rises. The voltage of the half-wave component (Wp) has a waveform that is similar to a sinusoidal wave during a non-load time. A voltage detecting circuit (801) detects the voltage of the half-wave component (Wp). A voltage shift circuit (803) shifts down the detected waveform by a shift voltage corresponding to a charging voltage (Vc). An integrating circuit (804) outputs an integration output as a delay time instruction (Vt). A gate control circuit (805) turns on a thyristor (7-2) at a timing delayed from the rise of a half-wave component (Wn) of negative side in accordance with the delay time instruction (Vt). An output current to be supplied to a lamp 6 rises in a delay time (Td) proportional to the area of an excessive portion. The peak value of the output current during the non-charging time can be adjusted and uniformed with reference to an output current during a charging time.
(FR)Pendant un temps de non-charge, un thyristor (7-1) demeure bloqué même en cas de montée d’une composante demi-onde (Wp). La tension de la composante demi-onde (Wp) possède une forme d’onde similaire à une onde sinusoïdale pendant un temps de non-charge. Un circuit de détection de tension (801) détecte la tension de la composante demi-onde (Wp). Un circuit de décalage de tension (803) décale vers le bas la forme d’onde détectée, par une tension de décalage correspondant à une tension de charge (Vc). Un circuit intégrateur (804) fournit une sortie d’intégration et une instruction de temps de retard (Vt). Un circuit de commande de gâchette (805) met le thyristor à l’état passant (7-2) avec un retard par rapport à la montée de la composante demi-onde (Wn) du côté négatif en accord avec l’instruction de temps de retard (Vt). Un courant de sortie à fournir à une lampe (6) croît selon un temps de retard (Td) proportionnel à la surface d’une partie en excès. La valeur crête du courant de sortie pendant le temps de non-charge peut être ajustée et rendue uniforme avec une référence d’un courant de sortie pendant un temps de charge.
(JA) 非充電時、サイリスタ7-1は半波成分Wpが立ち上がってもOFFを維持する。半波成分Wpの電圧は無負荷時の正弦波に近い波形となる。電圧検出回路801は半波成分Wpの電圧を検出する。電圧シフト回路803は検出した波形を充電電圧Vcに相当するシフト電圧だけシフトダウンする。積分回路804は積分出力を遅延時間指示Vtとして出力する。ゲート制御回路805は、負側の半波成分Wnの立ち上がり時から遅延時間指示Vtに従って遅延したタイミングでサイリスタ7-2をONする。超過部分の面積に比例した遅延時間Tdをもってランプ6側への出力電流が立ち上がる。充電時の出力電流を基準として非充電時の出力電流のピーク値を調整して均一にすることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)