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1. (WO2006120736) PROCEDE DE PRODUCTION DE BLOC DE SILICIUM ET DE TRANCHE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/120736    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/008603
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 11.05.2005
CIB :
B28D 5/04 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (Tous Sauf US).
MORIKAWA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KARAKIDA, Shoichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWASAKI, Takafumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORIKAWA, Hiroaki; (JP).
KARAKIDA, Shoichi; (JP).
KAWASAKI, Takafumi; (JP)
Mandataire : SOGA, Michiteru; S. Soga & Co. 8th floor, Kokusai Building 1-1, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON BLOCK AND SILICON WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE BLOC DE SILICIUM ET DE TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンブロックおよびシリコンウェハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose is to provide a silicon block which can be processed into a thin silicon wafer having reduced breakage of a substrate during the manufacture of a solar battery. A method for producing a silicon block by cutting a silicon ingot using a silicon ingot cutting slurry containing abrasive grains and a basic substance, the basic substance being contained in a content of at least 3.5% by mass relative to the total mass of the liquid components of the slurry, the slurry containing an organic amine at a ratio of 0.5 to 5.0 inclusive by mass relative to the mass of the moisture in the liquid components of the slurry, and the slurry having a pH of 12 or higher and being used at a temperature within the range from 65 to 95˚C.
(FR)La présente invention a pour objet de proposer un bloc de silicium pouvant être transformé en tranche mince de silicium présentant un risque réduit de rupture du substrat durant la fabrication d'une batterie solaire. L'invention propose également un procédé de production d'un bloc de silicium par la découpe d'un lingot de silicium à l'aide d'une bouillie de coupe de lingot de silicium contenant des grains abrasifs et une substance de base. La substance de base représente au moins 3,5 % en masse par rapport à la masse totale des composants liquides de la bouillie. La bouillie contient une amine organique dans un rapport de 0,5 à 5,0 inclus en masse par rapport à la masse de l'humidité dans les composants liquides de la bouillie. La bouillie a un pH au moins égal à 12 et elle est utilisée à une température comprise entre 65 et 95 °C.
(JA) 太陽電池の作製時での基板破損が少ない厚さの薄いシリコンウェハに製造できるシリコンブロックを提供するために、砥粒及び塩基性物質を含有するシリコンインゴット切断用スラリーを用いてシリコンインゴットを切断してシリコンブロックを製造する製造方法において、上記塩基性物質の含有量が、上記スラリーの液体成分全体の質量に対して少なくとも3.5質量%であり、上記スラリーが、上記スラリーの液体成分中の水分に対して質量比で0.5以上、5.0以下の有機アミンを含有し、上記スラリーのpHが12以上および上記スラリーを65°C以上、95°C以下で使用する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)