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1. (WO2006120727) COMPOSITION DE POLISSAGE DE CÂBLAGE DE CUIVRE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE SURFACE DE CIRCUIT INTÉGRÉ SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/120727    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/008366
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 06.05.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.09.2005    
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (Tous Sauf US).
AGC SEIMI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 3-2-10, Chigasaki, Chigasaki-shi Kanagawa, 2538585 (JP) (Tous Sauf US).
TSUGITA, Katsuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMIYA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TSUGITA, Katsuyuki; (JP).
KAMIYA, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; Torimoto Kogyo Bldg. 38, Kanda-Higashimatsushitacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010042 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) COMPOSITION FOR COPPER WIRING POLISHING AND METHOD OF POLISHING SURFACE OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE DE CÂBLAGE DE CUIVRE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE SURFACE DE CIRCUIT INTÉGRÉ SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 銅配線研磨用組成物および半導体集積回路表面の研磨方法
Abrégé : front page image
(EN)A technology for realizing a high-precision surface planarization in the use of copper as a wiring metal. Use is made of a polishing composition comprising water; a peroxide oxidizer; a surface protective agent for copper; at least one first chelating agent selected from the group consisting of tartaric acid, malonic acid, malic acid, citric acid, maleic acid, oxalic acid and fumaric acid; and at least one second chelating agent selected from the group consisting of triethylenetetramine, ethylenediaminediacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, tetraethylenepentamine, glycol-ether-diaminetetraacetic acid, trasn-1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, o-phenanthroline and derivatives thereof.
(FR)L’invention concerne une technologie pour réaliser une planarisation superficielle de grande précision dans l’utilisation de cuivre comme métal de câblage. Elle fait appel à une composition de polissage comprenant de l’eau ; un oxydant de peroxyde ; un agent de protection de surface pour le cuivre ; au moins un premier agent de chélation sélectionné dans le groupe consistant en acide tartrique, acide malonique, acide malique, acide citrique, acide maléique, acide oxalique et acide fumarique ; et au moins un second agent de chélation sélectionné dans le groupe consistant en triéthylène-tétramine,acide d’éthylène-diaminediacétique, acide d’éthylène diamine-tétraacétique, acide de tétraéthylène pentamine, acide de glycol-éther-diamine-tétraacétique, acide trans-1,2-cyclohexane-diamine-tétraacétique, o-phénanthroline et leurs dérivés.
(JA) 銅を配線用金属として用いた場合に精度の高い表面平坦化を実現する技術を提供する。  水と、過酸化物系酸化剤と、銅の表面保護剤と、酒石酸、マロン酸、リンゴ酸、クエン酸、マレイン酸、シュウ酸およびフマル酸からなる群から選ばれた少なくとも一つの第一のキレート化剤と、トリエチレンテトラミン、エチレンジアミンジ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、テトラエチレンペンタミン、グリコールエーテルジアミンテトラ酢酸、トランス-1,2-シクロヘキサンジアミンテトラ酢酸、o-フェナントロリンおよびこれらの誘導体からなる群から選ばれた少なくとも一つの第二のキレート化剤とを含有する研磨用組成物を使用する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)