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1. (WO2006120005) DETECTEUR DE PARTICULES DESTINE A DES IONS SECONDAIRES ET DES ELECTRONS SECONDAIRES DIRECTS ET/OU INDIRECTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/120005    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/004465
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 11.05.2006
CIB :
H01J 37/244 (2006.01), H01J 43/22 (2006.01)
Déposants : EL-MUL TECHNOLOGIES LTD. [IL/IL]; P.O.Box 571, Soreq, 81104 Yavne (IL) (Tous Sauf US).
SCHÖN, Armin [DE/IL]; (IL) (US Seulement).
CHEIFETZ, Eli [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
SHOFMAN, Semyon [IL/IL]; (IL) (US Seulement)
Inventeurs : SCHÖN, Armin; (IL).
CHEIFETZ, Eli; (IL).
SHOFMAN, Semyon; (IL)
Mandataire : HAHN, Christian; Waldstrasse 51, 79585 Steinen (DE)
Données relatives à la priorité :
60/679,669 11.05.2005 US
Titre (EN) PARTICLE DETECTOR FOR SECONDARY IONS AND DIRECT AND OR INDIRECT SECONDARY ELECTRONS
(FR) DETECTEUR DE PARTICULES DESTINE A DES IONS SECONDAIRES ET DES ELECTRONS SECONDAIRES DIRECTS ET/OU INDIRECTS
Abrégé : front page image
(EN)A multi-purpose efficient charge particle detector that by switching bias voltages measures either secondary ions, or secondary electrons (SE) from a sample, or secondary electrons that originate from back scattered electrons (SE3), is described. The basic version of the detector structure and two stripped down versions enable its use for the following detection combinations: 1. The major version is for measuring secondary ions, or secondary electrons from the sample, or secondary electrons due to back-scattered electrons that hit parts other than the sample together or without secondary electrons from the sample. 2. Measuring secondary ions or secondary electrons from the sample (no SE3). 3. Measuring secondary electrons from the sample and/or secondary electrons resulting from back-scattered electrons hitting objects other than the sample (no ions).
(FR)L'invention concerne un détecteur de particules de charge efficace polyvalent mesurant par commutation des tensions de polarisation soit des ions secondaires, soit des électrons secondaires (SE) d'un échantillon, soit des électrons secondaires provenant d'électrons rétrodiffusés (SE3). La version de base de la structure du détecteur et deux versions simplifiées permettent d'utiliser celui-ci pour les combinaisons de détection suivantes: 1. La version principale permet de mesurer des ions secondaires ou des électrons secondaires de l'échantillon ou des électrons secondaires engendrés par des électrons rétrodiffusés touchant des parties autres que l'échantillon conjointement avec ou sans électrons secondaires de l'échantillon. 2. La mesure des ions secondaires ou des électrons secondaires de l'échantillon (no SE3). 3. La mesure des électrons secondaires de l'échantillon et/ou des électrons secondaires engendrés par des électrons rétrodiffusés touchant des objets autres que l'échantillon (non-ions).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)