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1. (WO2006119927) PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES III-N, COUCHES III-N OU SUBSTRATS III-N ET DISPOSITIFS ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/119927    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/004233
Date de publication : 16.11.2006 Date de dépôt international : 05.05.2006
CIB :
C30B 29/40 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01)
Déposants : FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH [DE/DE]; Am Junger Löwe Schacht 5, 09599 Freiberg (DE) (Tous Sauf US).
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2, 93049 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG e. V. [DE/DE]; Hansastr. 27c, 80686 München (DE) (Tous Sauf US).
SCHOLZ, Ferdinand [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BRÜCKNER, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HABEL, Frank [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PETER, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KÖHLER, Klaus [--/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHOLZ, Ferdinand; (DE).
BRÜCKNER, Peter; (DE).
HABEL, Frank; (DE).
PETER, Matthias; (DE).
KÖHLER, Klaus; (DE)
Mandataire : OSER, Andreas; Prüfer & Partner GbR, Sohnckestrasse 12, 81479 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2005 021 099.6 06.05.2005 DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING III-N LAYERS, AND III-N LAYERS OR III-N SUBSTRATES, AND DEVICES BASED THEREON
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES III-N, COUCHES III-N OU SUBSTRATS III-N ET DISPOSITIFS ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)An epitaxial growth process for producing a thick III-N layer, wherein III denotes at least one element of group III of the periodic table of elements, is disclosed, wherein a thick III-N layer is deposited above a foreign substrate. The epitaxial growth process preferably is carried out by HVPE. The substrate can also be a template comprising the foreign substrate and at least one thin III-N intermediate layer. The surface quality is improved by providing a slight intentional misorientation of the substrate, and/or a reduction of the N/III ratio and/or the reactor pressure towards the end of the epitaxial growth process. Substrates and semiconductor devices with such improved III-N layers are also disclosed.
(FR)L'invention concerne un procédé de croissance épitaxiale permettant de produire une couche III-N épaisse, III représentant au moins un élément appartenant au groupe III du tableau périodique des éléments, et dans lequel une couche III-N épaisse est déposée sur un substrat étranger. Le procédé de croissance épitaxiale est de préférence mis en oeuvre par épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE). Le substrat peut aussi être un modèle comprenant le substrat étranger et au moins une couche intermédiaire III-N mince. On améliore la qualité de surface en plaçant volontairement le substrat avec un léger défaut d'orientation, et/ou en réduisant le rapport N/III et/ou la pression du réacteur vers la fin du procédé de croissance épitaxiale. Des substrats et des dispositifs semi-conducteurs comportant de telles couches III-N améliorées sont également décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)