WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006119180) MEMOIRE MORTE A PROGRAMMATION UNIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/119180    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/016612
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 01.05.2006
CIB :
H01L 29/76 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, Texas 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
WU, Xiaoju [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WU, Xiaoju; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED, Deputy General Patent Counsel, P.O. Box 655474, M/S 3999, Dallas, Texas 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
11/118,642 29.04.2005 US
Titre (EN) ONE TIME PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY
(FR) MEMOIRE MORTE A PROGRAMMATION UNIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A one time programmable (OTP) transistor based electrically programmable read only memory (EPROM) cell (100) is disclosed. The cell includes multiple concentric rings (108, 110) from which gate structures are formed. An inner transistor based cell (130) formed from the inner ring is shielded from isolation material (106) by one or more outer rings. A lack of overlap between the inner transistor and isolation material promotes enhanced charge/data retention by avoiding high electric fields that may otherwise develop at such overlap regions.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire morte programmable électriquement à base de transistor à programmation unique (OTP). La cellule comporte plusieurs anneaux concentriques (108, 110) à partir desquels des structures de grille sont formées. Une cellule à base de transistor interne (130) formée à partir de l'anneau interne est protégée du matériau d'isolation (106) par au moins un anneau externe. Une absence de recouvrement entre le transistor interne et le matériau d'isolation favorise une charge renforcée/rétention de données en évitant des champs électriques élevés qui pourraient se développer au niveau de ces zones de recouvrement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)