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1. (WO2006118870) DECHARGE A BARRIERE DIELECTRIQUE PULSEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2006/118870 N° de la demande internationale : PCT/US2006/015626
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 26.04.2006
CIB :
H01T 23/00 (2006.01) ,A61L 2/14 (2006.01)
Déposants : HOOKE, William McClure[US/US]; US (UsOnly)
MARTIN, Allen Richard[US/US]; US (UsOnly)
RAY, Mark Alan[US/US]; US (UsOnly)
MCGUIRE, Gary Elder[US/US]; US (UsOnly)
INTERNATIONAL TECHNOLOGY CENTER[US/US]; 8100-120 Brownleigh Drive Raleigh, North Carolina 27617-7300, US (AllExceptUS)
Inventeurs : HOOKE, William McClure; US
MARTIN, Allen Richard; US
RAY, Mark Alan; US
MCGUIRE, Gary Elder; US
Mandataire : KANANEN, Ronald P.; RADER, FISHMAN & GRAUER PLLC 1233 20th Street, N.W. Suite 501 Washington, District Of Columbia 20036, US
Données relatives à la priorité :
11/120,15302.05.2005US
Titre (EN) PULSED DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE
(FR) DECHARGE A BARRIERE DIELECTRIQUE PULSEE
Abrégé : front page image
(EN) A dielectric barrier plasma discharge device consistent with certain embodiments of the present invention has a pair of electrodes spaced apart by an electrode gap. A dielectric is disposed between the electrodes. The electrode gap is provided with a gas at a specified pressure. A rapid rise time voltage pulse generator produces a voltage pulse across the electrodes to cause an extreme overvoltage condition, wherein the rapid rise time is less than a plasma generation time so that the extreme overvoltage condition occurs prior to current flow across the electrode gap. Due to the high voltages and high current densities, the product yields an extremely high instantaneous power density. This extreme overvoltage condition is also believed to lead to production of shock waves and runaway free electrons. The resulting plasma can be utilized to carry out many potential tasks including, but not limited to etching, deposition, and sterilization. This abstract is not to be considered limiting, since other embodiments may deviate from the features described in this abstract.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention concernent un dispositif à décharge de plasma à barrière diélectrique qui possède une paire d'électrodes de part et d'autre d'un vide d'électrode. Un élément diélectrique est placé entre ces électrodes. Le vide d'électrodes est rempli d'un gaz à une pression spécifique. Une durée de montée rapide des générateurs d'impulsion de tension produit une impulsion de tension à travers les électrodes de façon à entraîner un état de surtension extrême, cette montée rapide étant inférieure à la durée de génération de plasma de sorte que le temps de surtension extrême survient avant le flux de courant à travers le vide des électrodes. Du fait des tensions élevées et des densités de courant, le produit fournit une densité de puissance instantanée extrêmement élevée. Cet état de surtension extrême conduit, d'après ce que l'on est fondé à penser, à produire des ondes de choc et une fuite d'électrons libres. Le plasma résultant peut-être utiliser pour effectuer de nombreuses tâches potentielles notamment, la gravure, le dépôt de la stérilisation. Cet abrégé et ne doit apporter aucune limitation, dans la mesure où d'autres modes de réalisation peuvent sensiblement se démarquer des caractéristiques décrites ci-dessus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)