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1. (WO2006118800) CONCEPTION ET EXPLOITATION D'UNE CELLULE DE MEMOIRE A COMMUTATION DE RESISTANCE EQUIPEE D'UNE DIODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/118800    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/014797
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 19.04.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.02.2007    
CIB :
H01L 27/102 (2006.01), H01L 27/28 (2006.01), G11C 13/02 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, California 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
KRIEGER, Juri, H. [RU/US]; (US) (US Seulement).
SPITZER, Stuart [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KRIEGER, Juri, H.; (US).
SPITZER, Stuart; (US)
Mandataire : DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben White Boulevard, Mail Stop 562, Austin, Texas 78741 (US).
BROOKES BATCHELLOR LLP; 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
11/119,973 02.05.2005 US
Titre (EN) DESIGN AND OPERATION OF A RESISTANCE SWITCHING MEMORY CELL WITH DIODE
(FR) CONCEPTION ET EXPLOITATION D'UNE CELLULE DE MEMOIRE A COMMUTATION DE RESISTANCE EQUIPEE D'UNE DIODE
Abrégé : front page image
(EN)Systems and methodologies are provided for forming a diode component (103, 202, 204, 310) operative {e.g., connected in series) with active (106) and passive layer (104) of a resistance switching memory cell (100) to facilitate programming arrays of memory cells created therefrom. Such a diode component (103, 202, 204, 310) can be part of a memory cell having a passive (104) and active layer (106). Such an arrangement reduces a number of transistor-type voltage controls and associated power consumption, while enabling individual memory cell programming as part of the array. Moreover, the system provides for an efficient placement of memory cells on a wafer surface, and increases an amount of die space available for circuit design.
(FR)Systèmes et procédés pour la réalisation d'une diode (103, 202, 204, 310) opérationnelle (par exemple, reliée en série) avec une couche active (106) et passive (104) de cellule de mémoire à commutation de résistance (100) pour faciliter la programmation de réseaux de cellules de mémoire résultants. Une telle diode (103, 202, 204, 310) peut appartenir à une cellule de mémoire à couche passive (104) et active (106). Ce genre de configuration réduit le nombre de moyens de commande de tension du type transistor et la consommation d'énergie associée, tout en permettant la programmation individuelle des cellules de mémoire dans le cadre du réseau, et on réalise aussi une mise en place efficace des cellules sur une surface de plaquette, avec augmentation de la quantité d'espace de puce disponible pour la conception de circuit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)