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1. (WO2006118787) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR COMPRENANT UN DIELECTRIQUE DE GRILLE AUX CARACTERISTIQUES DE BLOCAGE DIFFERENTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/118787    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/014628
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 19.04.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.02.2007    
CIB :
H01L 21/8234 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
WIECZOREK, Karsten [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RAAB, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ROMERO, Karla [HN/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WIECZOREK, Karsten; (DE).
RAAB, Michael; (DE).
ROMERO, Karla; (DE)
Mandataire : DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben White Boulevard, Mail Stop 562, Austin, TX 78741 (US).
PFAU, Anton, K.; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser, Maximilianstraße 58, 80538 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2005 020 058.3 29.04.2005 DE
11/284,270 21.11.2005 US
Titre (EN) A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A GATE DIELECTRIC OF DIFFERENT BLOCKING CHARACTERISTICS
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR COMPRENANT UN DIELECTRIQUE DE GRILLE AUX CARACTERISTIQUES DE BLOCAGE DIFFERENTES
Abrégé : front page image
(EN)By locally adapting the blocking capability of gate insulation layers 205A, 205B for N-channel transistors and P-channel transistors, the reliability and threshold stability of the P-channel transistor may be enhanced, while nevertheless electron mobility of the N-channel transistor may be kept at a high level. This may be accomplished by incorporating a different amount of a dielectric dopant into respective gate insulation layer portions 205A, 205B.
(FR)L'invention permet, en adaptant localement la capacité de blocage de couches isolantes de grille 205A, 205B de transistors à canal N et de transistors à canal P, d'améliorer la fiabilité et la stabilité de seuil du transistor à canal P, tout en maintenant néanmoins à un niveau élevé la mobilité des électrons du transistor à canal N. On parvient à ce résultat en incorporant une quantité différente de dopant dans des parties des couches isolantes de grille respectives 205A, 205B.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)