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1. (WO2006118657) DISPOSITIF SCHOTTKY ET PROCEDE DE FAÇONNAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/118657    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/008254
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 08.03.2006
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/44 (2006.01), H01L 21/33 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
KHEMKA, Vishnu, K. [IN/US]; (US) (US Seulement).
PARTHASARATHY, Vijay [IN/US]; (US) (US Seulement).
ZHU, Ronghua [US/US]; (US) (US Seulement).
BOSE, Amitava [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KHEMKA, Vishnu, K.; (US).
PARTHASARATHY, Vijay; (US).
ZHU, Ronghua; (US).
BOSE, Amitava; (US)
Mandataire : KING, Robert, L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/117,996 29.04.2005 US
Titre (EN) SCHOTTKY DEVICE AND METHOD OF FORMING
(FR) DISPOSITIF SCHOTTKY ET PROCEDE DE FAÇONNAGE
Abrégé : front page image
(EN)A Schottky device (5) having a plurality of unit cells, each having a Schottky contact portion (13), surrounded by a termination structure (22) that causes depletion regions to form in a vertical and horizontal direction, relative to a surface of the device, during a reverse bias voltage condition.
(FR)L'invention concerne un dispositif Schottky (5) comprenant une pluralité de cellules unitaires, chaque cellule unitaire présentant une partie de contact Schottky (13) entourée d'une structure de terminaison (22) à l'origine de la formation de régions lacunaires dans des axes vertical et horizontal, relativement à une surface du dispositif, dans une situation de tension de polarisation inverse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)