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1. (WO2006118632) TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A BASE DE NITRURE DU GROUPE III SANS ALUMINIUM ET PROCEDES DE FABRICATION ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/118632    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/006146
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 23.02.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.02.2007    
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01L 29/205 (2006.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, North Carolina 27703 (US) (Tous Sauf US).
SAXLER, Adam William [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SAXLER, Adam William; (US)
Mandataire : MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.o. Box 37428, Raleigh, North Carolina 27627 (US)
Données relatives à la priorité :
11/118,575 29.04.2005 US
Titre (EN) ALUMINUM FREE GROUP III-NITRIDE BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATING SAME
(FR) TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A BASE DE NITRURE DU GROUPE III SANS ALUMINIUM ET PROCEDES DE FABRICATION ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)Aluminum free high electron mobility transistors (HEMTs) and methods of fabricating aluminum free HEMTs are provided. In some embodiments, the aluminum free HEMTs include an aluminum free Group III-nitride barrier layer, an aluminum free Group III-nitride channel layer on the barrier layer and an aluminum free Group III-nitride cap layer on the channel layer.
(FR)La présente invention concerne des transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) sans aluminium et des procédés de fabrication de transistors à haute mobilité d'électrons sans aluminium. Dans certains modes de réalisation, les transistors à haute mobilité d'électrons sans aluminium comprennent une couche barrière de nitrure du groupe III sans aluminium, une couche de canal de nitrure du groupe III sans aluminium sur la couche barrière et une couche superficielle de nitrure du groupe III sans aluminium sur la couche de canal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)