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1. (WO2006118291) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/118291    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/309125
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 25.04.2006
CIB :
H01L 27/28 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
YUKAWA, Mikio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHSAWA, Nobuharu; (US Seulement).
NOMURA, Ryoji; (US Seulement).
ASAMI, Yoshinobu; (US Seulement)
Inventeurs : YUKAWA, Mikio; (JP).
OHSAWA, Nobuharu; .
NOMURA, Ryoji; .
ASAMI, Yoshinobu;
Données relatives à la priorité :
2005-130629 27.04.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)It is an object of the present invention to provide a technique in which a high-performance and high reliable memory device and a semiconductor device provided with the memory device are manufactured at low cost with high yield. The semiconductor device includes an organic compound layer including an insulator over a first conductive layer and a second conductive layer over the organic compound layer including an insulator. Further, the semiconductor device is manufactured by forming a first conductive layer, discharging a composition of an insulator and an organic compound over the first conductive layer to form an organic compound layer including an insulator, and forming a second conductive layer over the organic compound layer including an insulator.
(FR)Un objet de la présente invention concerne une technique permettant de fabriquer à faible coût avec un rendement élevé un dispositif de mémoire à performance et fiabilité élevées et un dispositif semi-conducteur équipé du dispositif de mémoire. Le dispositif semi-conducteur comprend une couche de composé organique comprenant un isolant par-dessus une première couche conductrice et une seconde couche conductrice par-dessus la couche de composé organique comprenant un isolant. De plus, le dispositif semi-conducteur est fabriqué en formant une première couche conductrice, en déchargeant une composition d’isolant et un composant organique par-dessus la première couche conductrice pour former une couche de composant organique comprenant un isolant, et en formant une seconde couche conductrice par-dessus la couche de composant organique comprenant un isolant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)