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1. (WO2006118274) COMPOSITION DE PORCELAINE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/118274    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/309038
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 28.04.2006
CIB :
C04B 35/468 (2006.01), H01C 7/02 (2006.01)
Déposants : Hitachi Metals, Ltd. [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058614 (JP) (Tous Sauf US).
SHlMADA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TERAO, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOJI, Kazuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHlMADA, Takeshi; (JP).
TERAO, Koichi; (JP).
TOJI, Kazuya; (JP)
Mandataire : HAYASHI, Tomio; Shin-ei Patent Office, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-133610 28.04.2005 JP
2005-289101 30.09.2005 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PORCELAIN COMPOSITION AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSITION DE PORCELAINE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 半導体磁器組成物とその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a semiconductor porcelain composition having the Ba of BaTiO3 partially replaced by Bi-Na so as to be able to suppress evaporation of Bi during calcining operation, suppress hetero-phase formation through prevention of Bi-Na composition deviance, lower resistivity at room temperature and suppress fluctuation of Curie temperature, and provide a relevant process for producing the same. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] (BaQ)TiO3 (Q is a semiconducting element) calcined powder and (BiNa)TiO3 calcined powder are separately provided. (BaQ)TiO3 composition and (BiNa)TiO3 composition are calcined at optimum temperatures suiting the respective compositions, at relatively high temperature for the former and relatively low temperature for the latter. Thus, evaporation of Bi can be suppressed, and Bi-Na composition deviance can be prevented to thereby suppress any hetero-phase formation. Further, through mixing of the calcined powders and subsequent molding/sintering, there can be obtained a semiconductor porcelain composition that is low in resistivity at room temperature and realizes suppressing of Curie temperature fluctuation.
(FR)Afin de créer une composition de porcelaine semi-conductrice dont Ba de BaTiO3 est partiellement remplacé par Bi-Na de manière à pouvoir éliminer l'évaporation de Bi pendant le processus de calcination, de supprimer la formation d'une hétéro-phase en empêchant la déviance de la composition Bi-Na, d'abaisser la résistivité à température ambiante et de supprimer les fluctuations de la température de Curie, et de mettre en oeuvre un procédé adéquat permettant de produire une telle composition, l'invention concerne un procédé dans lequel la poudre calcinée (BaQ)TiO3 (Q représente un élément semi-conducteur) et la poudre calcinée de (BiNa)TiO3 sont séparément obtenues. La composition (BaQ)TiO3 et la composition (BiNa)TiO3 sont calcinées à des températures optimales adaptées aux compositions respectives, à une température relativement élevée pour la première composition et à une température relativement basse pour la dernière. Ainsi, l'évaporation de Bi peut être supprimée, et la déviance de la composition Bi-Na peut être bloquée empêchant ainsi la formation d'une hétéro-phase. En outre, le mélange des poudres calcinées et le moulage/frittage ultérieurs permettent d'obtenir une composition de porcelaine semi-conductrice présentant une résistivité basse à température ambiante et d'éliminer les fluctuations de la température de Curie.
(JA)【課題】 BaTiOのBaの一部をBi-Naで置換した半導体磁器組成物において、仮焼工程におけるBiの揮散を抑制し、Bi-Naの組成ずれを防止して異相の生成を抑制し、室温における抵抗率をさらに低下させるとともに、キュリー温度のバラツキを抑制することができる半導体磁器組成物とその製造方法の提供。 【解決手段】 (BaQ)TiO仮焼粉(Qは半導体化元素)と(BiNa)TiO仮焼粉を別々に用意し、(BaQ)TiO組成物は比較的高温で、(BiNa)TiO組成物は比較的低温で、それぞれに応じた最適温度で仮焼することにより、Biの揮散が抑制され、Bi-Naの組成ずれを防止して異相の生成を抑制することができ、それら仮焼粉を混合して、成形、焼結することにより、室温における抵抗率が低く、キュリー温度のバラツキが抑制された半導体磁器組成物が得られる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)