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1. (WO2006118229) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/118229    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/308922
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 21.04.2006
CIB :
H01L 27/28 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0036 (JP) (Tous Sauf US).
NOMURA, Ryoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKANO, Tamae; (US Seulement).
HATANO, Takehisa; (US Seulement)
Inventeurs : NOMURA, Ryoji; (JP).
TAKANO, Tamae; .
HATANO, Takehisa;
Données relatives à la priorité :
2005-133422 28.04.2005 JP
Titre (EN) MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)To provide a memory element, a memory device, and a semiconductor device, which can be easily manufactured at low cost; are nonvolatile and data-rewritable; and have preferable switching properties and low operating voltage. A memory element of the invention includes a first conductive layer, a second conductive layer facing the first conductive layer, and an organic compound layer provided between the first and the second conductive layers. For the organic compound layer, a high molecular material having an amide group at least at one kind of side chains is used.
(FR)La présente invention concerne un élément de mémoire, un dispositif de mémoire et un dispositif semi-conducteur pouvant être facilement fabriqués à faible coût, non volatiles et réinscriptibles; et présentant des propriétés de commutation préférables et une tension de fonctionnement faible. L’élément de mémoire selon l’invention comporte une première couche conductrice, une seconde couche conductrice faisant face à la première couche conductrice, et une couche de composé organique placée entre les première et seconde couches conductrices. Pour la couche de composé organique, un matériau hautement moléculaire comportant un groupe amide au moins sur un type de chaines latérales est utilisé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)