WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006118161) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET ELEMENT D'ELECTRODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/118161    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/308774
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 26.04.2006
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 4-14-1, Soto-Kanda Chiyoda-ku, Tokyo 101-8980 (JP) (Tous Sauf US).
TOYODA, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YASHIMA, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKEBAYASHI, Yuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITOH, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TOYODA, Kazuyuki; (JP).
YASHIMA, Shinji; (JP).
TAKEBAYASHI, Yuji; (JP).
ITOH, Takeshi; (JP)
Mandataire : MIYAMOTO, Haruhiko; Urbane Sagami Bldg. 602, 19-13, Sagami-ono 3-chome, Sagamihara-shi, Kanagawa 2280803 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-133388 28.04.2005 JP
Titre (EN) SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND ELECTRODE
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET ELEMENT D'ELECTRODE
(JA) 基板処理装置および電極部材
Abrégé : front page image
(EN)A substrate treating apparatus is provided with a reaction chamber (1) for treating a substrate (5); a substrate placing means (22) for placing a plurality of substrates (5) in the reaction chamber (1) one over another in multilevel at prescribed intervals; a means (10) for introducing a treatment gas into the reaction chamber (1); exhausting means (6, 7) for exhausting inside the reaction chamber (1); and a plurality of pairs of comb-shaped electrodes (17, 18) arranged in the reaction chamber (1) for applying alternating current power for generating plasma. Each pair of the comb-shaped electrodes is arranged at a prescribed distance from each plasma treatment plane of the substrates (5) placed by the substrate placing means (22).
(FR)L’invention fournit un appareil de traitement de substrat équipé d’une chambre de réaction (1) destinée au traitement d’un substrat (5) ; un moyen de positionnement du substrat (22) destiné à placer une pluralité de substrats (5) dans la chambre de réaction (1) l’un au-dessus de l’autre en plusieurs niveaux à intervalles prédéfinis ; un moyen (10) destiné à introduire un gaz de traitement dans la chambre de réaction (1) ; des moyens d’évacuation (6, 7) destinés à évacuer l'intérieur de la chambre de réaction (1) ; et une pluralité de paires d'électrodes en forme de peigne (17, 18) disposées dans la chambre de réaction (1) destinées à appliquer une tension de courant alternatif de façon à produire un plasma. Chaque paire d’électrodes en forme de peigne est disposée à une distance prédéfinie de chaque plan de traitement de plasma des substrats (5) placés grâce au moyen de positionnement du substrat (22).
(JA) 基板(5)を処理する反応室(1)と、反応室(1)内において複数の基板(5)を所定の間隔をおいて多段に重ねて載置する基板載置手段(22)と、反応室(1)内に処理ガスを導入する手段(10)と、反応室(1)内を排気する排気手段(6、7)と、反応室(1)内に設けられたプラズマを生成する為の複数対の交流電力印加用櫛形電極(17、18)とを備え、複数対の櫛形電極の各々の対は、基板載置手段(22)に載置される複数の基板(5)の各々のプラズマ処理面から所定の距離にそれぞれ配置される基板処理装置が開示されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)