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1. (WO2006118145) CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE À L'ÉTAT SOLIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/118145    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/308734
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 26.04.2006
CIB :
H01G 9/04 (2006.01), H01G 9/00 (2006.01), H01G 9/028 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K. K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
SAIDA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ASAI, Yoshifumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OOHATA, Hideki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAIDA, Yoshihiro; (JP).
ASAI, Yoshifumi; (JP).
OOHATA, Hideki; (JP)
Mandataire : OHIE, Kunihisa; OHIE Patent Office Selva-Ningyocho 6F 14-6, Nihonbashi-Ningyocho 2-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-130109 27.04.2005 JP
2005-130110 27.04.2005 JP
60/677,407 04.05.2005 US
60/677,806 05.05.2005 US
Titre (EN) SOLID STATE ELECTROLYTIC CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE À L'ÉTAT SOLIDE
(JA) 固体電解コンデンサ
Abrégé : front page image
(EN)An anode substrate for solid state electrolytic capacitor and a solid state electrolytic capacitor including an anode substrate of such a structure that the edge side is chamfered at least partially, characterized in that a valve metal stretching layer, which is an anode element obtained by obliquely cutting a metal substrate including a valve metal layer having pores and a valve metal layer not having pores and is produced when the valve metal layer not having pores is stretched by following up a cutter and covers the valve metal layer end surface having pores at the time of cutting the metal substrate obliquely, satisfies following conditional expression; 0≤y/z≤1 (where, y is the thickness of the valve metal layer end face in the thickness direction of the substrate, z is the sum of the original thickness of the valve metal layer not having pores and the thickness of the valve metal layer having pores with the end face thereof being covered with the stretching layer in the thickness direction of the substrate).
(FR)La présente invention concerne un substrat d'anode pour un condensateur électrolytique à l'état solide et un condensateur électrolytique à l'état solide comprenant un substrat d'anode de telle structure que le côté bord est au moins partiellement chanfreiné, caractérisé en ce qu'une couche d'allongement de métal valve, qui est un élément d'anode obtenu en coupant obliquement un substrat de métal comprenant une couche de métal valve poreuse et une couche de métal valve non poreuse et est produite lorsque la couche de métal valve non poreuse est allongée en suivant un couteau et couvre la couche de métal valve poreuse au moment où le substrat métallique est coupé obliquement, satisfait à l'expression conditionnelle suivante; 0≤y/z≤1 (où y est l'épaisseur de la face extrême de la couche de métal valve dans la direction de l'épaisseur du substrat, z est la somme de l'épaisseur originelle de la couche de métal valve non poreuse et de l'épaisseur de la couche de métal valve poreuse avec sa face extrême couverte par la couche allongée dans la direction de l'épaisseur du substrat).
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)