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1. (WO2006118091) RESINE POUR REMPLISSAGE DE SUBSTRAT ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/118091    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/308596
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 25.04.2006
CIB :
C08L 63/00 (2006.01), C08K 7/16 (2006.01), H05K 3/28 (2006.01)
Déposants : SAN NOPCO LTD. [JP/JP]; 11, Ikkyo Nomoto-cho, Higashiyama-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6050995 (JP) (Tous Sauf US).
KODA, Kazuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KODA, Kazuhiko; (JP)
Mandataire : FUJIWARA, Michihiko; 49-31, Uji-jazuka Uji-shi, Kyoto 611-0021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-132018 28.04.2005 JP
Titre (EN) RESIN FOR FILLING INTO ELECTRONIC SUBSTRATE
(FR) RESINE POUR REMPLISSAGE DE SUBSTRAT ELECTRONIQUE
(JA) 電子基板充填用樹脂
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a resin for filling into an electronic substrate that, even when applied to a small opening, is less likely to cause the opening to remain unfilled. The resin for filling into an electronic substrate is characterized in that the resin comprises an inorganic filler (F) and a curable resin (K), all tan &dgr; values at a frequency of 1 to 10 Hz is 3 to 30, and the volatile content (133 Pa, 80ºC, 4 hr) is not more than 0.2% by weight. The viscosity (23ºC) is preferably 200 to 2000 Pa·s. The content of the component (F) and the content of the component (K) are preferably 55 to 90% by weight and 10 to 45% by weight, respectively, based on the weight of the components (F) and (K). The component (F) comprises a spherical inorganic filler (F1) having a volume average particle diameter of 3 to 8 μm and a nonspherical inorganic filler (F2) having a volume average particle diameter of 0.1 to 3 μm. The content of the component (F1) and the component (F2) are preferably 50 to 99% by weight and 1 to 50% by weight, respectively, based on the weight of the component (F).
(FR)L’invention concerne une résine destinée au remplissage d’un substrat électronique qui, lorsqu’elle est appliquée dans un petit orifice, est moins susceptible de conduire à un non-remplissage dudit orifice. La résine de remplissage d’un substrat électronique est caractérisée en ce que ladite résine comprend un agent de remplissage inorganique (F) et une résine durcissable (K), toutes les valeurs tan &dgr; sont de 3 à 30 à une fréquence de 1 à 10 Hz et le contenu volatil (133 Pa, 80 ºC, 4 heures) n’est pas supérieur à 0,2 % en poids. La viscosité (23 ºC) va de préférence de 200 à 2 000 Pa·s. La teneur du composant (F) et la teneur du composant (K) vont de préférence de 55 à 90 % en poids et de 10 à 45 % en poids, respectivement, sur la base du poids des composants (F) et (K). Le composant (F) comprend un agent de remplissage inorganique sphérique (F1) ayant un diamètre moyen des particules en volume de 3 à 8 µm et un agent de remplissage inorganique non sphérique (F2) ayant un diamètre moyen des particules en volume de 0,1 à 3 µm. Les teneurs du composant (F1) et du composant (F2) vont de préférence de 50 à 99 % en poids et de 1 à 50 % en poids, respectivement, sur la base du poids du composant (F).
(JA)小さな開口部に適用した場合でも開口部の未充填が発生しにくい電子基板充填用樹脂を提供するものである。無機フィラー(F)及び硬化性樹脂(K)を含んでなり、周波数が1~10Hzにおけるすべてのtanδが3~30であり、かつ揮発分(133Pa、80°C、4時間)が0.2重量%以下であることを特徴とする電子基板充填用樹脂を用いる。粘度(23°C)は200~2000Pa・sが好ましい。(F)及び(K)の重量に基づいて、(F)を55~90重量%、(K)を10~45重量%含有することが好ましい。(F)が体積平均粒径が3~8μmの球状無機フィラー(F1)及び体積平均粒径が0.1~3μmの非球状無機フィラー(F2)を含んでなり、(F)の重量に基づいて、(F1)を50~99重量%、(F2)を1~50重量%含有することが好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)