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1. (WO2006118042) GÉNÉRATEUR DE PLASMA D’EXCITATION D’ONDE SUPERFICIELLE ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE PLASMA D’EXCITATION D’ONDE SUPERFICIELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/118042    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/308329
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 20.04.2006
CIB :
H05H 1/46 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo-kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 6048511 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI, MASAYASU [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI, MASAYASU; (JP)
Mandataire : KITA, TOSHIFUMI; c/o SHIMADZU CORPORATION, 1, Nishinokyo-kuwabaracho Nakagyo-ku Kyoto-shi, Kyoto 6048511 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-128079 26.04.2005 JP
Titre (EN) SURFACE WAVE EXCITATION PLASMA GENERATOR AND SURFACE WAVE EXCITATION PLASMA PROCESSING SYSTEM
(FR) GÉNÉRATEUR DE PLASMA D’EXCITATION D’ONDE SUPERFICIELLE ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE PLASMA D’EXCITATION D’ONDE SUPERFICIELLE
(JA) 表面波励起プラズマ発生装置および表面波励起プラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)[PURPOSE] To generate surface wave excitation plasma efficiently. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A surface wave excitation plasma generator (10) comprising an annular waveguide (2), and a dielectric tube (3). The annular waveguide (2) has an inlet (2a) for introducing a microwave M, an end plate (2b) for reflecting the microwave M being introduced and propagating through the waveguide, and a bottom plate (2c) on which slot antennas (2d) are formed at a predetermined interval. Assuming the wavelength of the microwave M in the waveguide is &lgr;g, the length from position b through positions c, d, e to position f on the bottom plate (2c), i.e. the circumferential length &pgr;×D1 of the annular waveguide (2), is set at 2&lgr;g and the positions b, c, d, e, f are set at an interval of &lgr;g/2. Since the slot antennas (2d) are arranged at two positions c and e, the interval between these two slot antennas (2d) is equalized to the wavelength &lgr;g in the waveguide.
(FR)L’invention permet de générer de manière efficace un plasma d’excitation d’onde superficielle. L’invention concerne un générateur de plasma d’excitation d’onde superficielle (10) comprenant un guide d’onde annulaire (2), et un tube diélectrique (3). Le guide d’onde annulaire (2) possède une entrée (2a) pour introduire une micro-onde M, une plaque d’extrémité (2b) permettant de réfléchir la micro-onde M introduite et se propageant à travers le guide d’onde, et une plaque de fond (2c) sur laquelle des fentes rayonnantes (2d) sont formées avec un intervalle prédéterminé. Dans l’hypothèse selon laquelle la longueur d’onde de la micro-onde M dans le guide d’onde est &lgr;g, la longueur de la position b en passant par les positions c, d, e jusqu’à la position f sur la plaque de fond (2c), c’est-à-dire la longueur circonférentielle &pgr;×D1 du guide d’onde annulaire (2), est réglée sur 2&lgr;g et les positions b, c, d, e, f sont définies à un intervalle de &lgr;g/2. Dans la mesure où les fentes rayonnantes (2d) occupent deux positions c et e, l’intervalle entre ces deux fentes rayonnantes (2d) est rendu égal à la longueur d’onde &lgr;g dans le guide d’onde.
(JA)【課題】 効率良く表面波励起プラズマを発生させること。 【解決手段】 表面波励起プラズマ発生装置10は、環状導波管2と誘電体チューブ3とを有する。環状導波管2は、マイクロ波Mを導入する導入口2aと、導入され管内を伝搬するマイクロ波Mが反射する終端板2bと、スロットアンテナ2dが所定間隔で形成されている底板2cとを有する。マイクロ波Mの管内波長をλgとすると、底板2c上の位置bから位置c,d,eを経て位置fまでの長さ、つまり、環状導波管2の周囲長π×D1を2λgに設定し、位置b,c,d,e,fを、λg/2の間隔で設定する。スロットアンテナ2dは、位置cと位置eの2ヶ所に配置するので、これら2つのスロットアンテナ2dの間隔は管内波長λgに等しくなる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)