WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006117980) PROCEDE DE FABRICATION D’UNE CELLULE SOLAIRE, CELLULE SOLAIRE ET PROCEDE DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/117980    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/307595
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 11.04.2006
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
NAOETSU ELECTRONICS CO., LTD. [JP/JP]; 596-2, Jyonokoshi, Kubiki-ku, Jyoetsu-shi, Niigata 9420193 (JP) (Tous Sauf US).
SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (Tous Sauf US).
OHTSUKA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Masatoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIKAWA, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAISU, Shigenori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UEGURI, Toyohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OJIMA, Satoyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATABE, Takenori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AKATSUKA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONISHI, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHTSUKA, Hiroyuki; (JP).
TAKAHASHI, Masatoshi; (JP).
ISHIKAWA, Naoki; (JP).
SAISU, Shigenori; (JP).
UEGURI, Toyohiro; (JP).
OJIMA, Satoyuki; (JP).
WATABE, Takenori; (JP).
AKATSUKA, Takeshi; (JP).
ONISHI, Tsutomu; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-127950 26.04.2005 JP
Titre (EN) SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD, SOLAR CELL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D’UNE CELLULE SOLAIRE, CELLULE SOLAIRE ET PROCEDE DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A solar cell manufacturing method forms pn junction on a first conductive type semiconductor substrate. The first conductive type semiconductor substrate is coated by a first coating agent containing a dopant and a dopant scattering preventing agent and a second coating agent containing a dopant in contact with the first coating agent. After this, diffusion thermal treatment is performed so as to simultaneously form a first diffusion layer formed by coating of the first coating agent and a second diffusion agent formed by the coating of the second coating agent and having a lower conductivity than the first diffusion layer. A solar cell and a semiconductor device manufacturing method are also provided. This suppresses surface recombination at the portion other than the electrode on the light reception surface and recombination in a emitter while obtaining ohmic contact, thereby manufacturing a solar cell having improved photoelectric conversion efficiency by a simple and easy method at a low cost. A solar cell and semiconductor device manufacturing method are also provided.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’une cellule solaire pour former une jonction pn sur un premier substrat semi-conducteur de type conducteur. Le premier substrat semi-conducteur de type conducteur est revêtu d’un premier agent de revêtement contenant un dopant et un agent de prévention de la dispersion du dopant et un second agent de revêtement contenant un dopant en contact avec le premier agent de revêtement. Après cela, un traitement thermique de diffusion est réalisé de manière à former simultanément une première couche de diffusion formée par le revêtement du premier agent de revêtement et un second agent de diffusion formé par le revêtement du second agent de revêtement et ayant une conductivité inférieure à celle de la première couche de diffusion. L’invention concerne également une cellule solaire et un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur. Ceci supprime une recombinaison superficielle en la partie autre que l’électrode sur la surface de réception de la lumière et une recombinaison dans un émetteur tout en obtenant un contact ohmique, fabriquant de cette manière une cellule solaire ayant une efficacité de conversion photoélectrique améliorée par un procédé simple et facile et à faible coût. L’invention concerne, en outre, un procédé de fabrication d’une cellule solaire et d’un dispositif semi-conducteur.
(JA) 本発明は、第1導電型の半導体基板にpn接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第1導電型の半導体基板上にドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第1塗布剤と少なくとも第1塗布剤に接するようにドーパントを含む第2塗布剤とを塗布した後、拡散熱処理により、第1塗布剤の塗布により形成される第1拡散層と、第2塗布剤の塗布により形成され、第1拡散層より導電率が低い第2拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法及び太陽電池、並びに半導体装置の製造方法である。これにより、オーミックコンタクトを得ながら、受光面の電極以外の部分での表面再結合およびエミッタ内の再結合を抑制することにより、光電変換効率を向上させた太陽電池を、簡便かつ容易な方法により安価に製造することができる太陽電池の製造方法及び太陽電池、並びに半導体装置の製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)