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1. (WO2006117909) FINE PELLICULE A MOTIF, PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR ET D'UNE CARTE A CIRCUIT, MATERIAU DE RESIST, ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR ET CARTE E CIRCUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/117909    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/301581
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 31.01.2006
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
SAITO, Yuichi [JP/--]; (US Seulement).
HARA, Takeshi [JP/--]; (US Seulement)
Inventeurs : SAITO, Yuichi; .
HARA, Takeshi;
Mandataire : YASUTOMI, Yasuo; Chuo Bldg. 4-20, Nishinakajima 5-chome Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-133244 28.04.2005 JP
Titre (EN) PATTERN THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND CIRCUIT BOARD, RESIST MATERIAL, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND CIRCUIT BOARD
(FR) FINE PELLICULE A MOTIF, PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR ET D'UNE CARTE A CIRCUIT, MATERIAU DE RESIST, ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR ET CARTE E CIRCUIT
(JA) パターン薄膜、半導体素子及び回路基板の製造方法、並びに、レジスト材料、半導体素子及び回路基板
Abrégé : front page image
(EN)A pattern thin film by which the number of times of photolithography required for patterning can be reduced, a method for manufacturing semiconductor element and circuit board, and a semiconductor element, a circuit board and an electronic device obtained by using such pattern thin film and method are provided. The method for manufacturing the pattern thin film includes a step of forming a first resist pattern film on at least one thin film layer formed on a substrate; a step of forming a second resist pattern; and a step of patterning the thin film by using at least the second resist pattern film. In the second resist pattern film forming step, a resist material having fluidity or an organic solvent is applied in a groove section of a bank pattern formed by using the first resist pattern film.
(FR)L'invention concerne une fine pellicule à motif grâce à laquelle il est possible de réduire le nombre d'opérations de photolithographie nécessaires pour la formation de motifs, un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur et d'une carte à circuit, et un élément semi-conducteur, une carte à circuit et un dispositif électronique obtenus par l'utilisation de ladite fine pellicule à motif et dudit procédé. Ledit procédé de fabrication de ladite fine pellicule à motif comprend une étape de formation d'une première pellicule à motif de résist sur au moins une première fine couche formée sur un substrat, une étape de formation d'une second pellicule à motif de résist et une étape de formation de motif sur ladite fine pellicule en utilisant au moins la seconde pellicule à motif de résist. Au cours de l'étape de formation de ladite seconde pellicule à motif de résist, on applique un matériau de résist présentant de la fluidité ou un solvant organique dans une section de rainure d'un motif de rangée formé par l'utilisation de ladite première pellicule à motif de résist.
(JA)本発明は、パターニングに必要なフォトリソグラフィの回数を削減することができるパターン薄膜、半導体素子及び回路基板の製造方法、並びに、それらを用いて得られる半導体素子、回路基板及び電子装置を提供する。本発明のパターン薄膜の製造方法は、基板上に形成された少なくとも1層の薄膜上に、第1のレジストパターン膜を形成する工程と、第2のレジストパターン膜を形成する工程と、少なくとも第2のレジストパターン膜を用いて薄膜をパターニングする工程とを含むパターン薄膜の製造方法であって、上記第2のレジストパターン膜形成工程は、第1のレジストパターン膜を用いて形成したバンクパターンの溝部に流動性を有するレジスト材料又は有機溶剤を塗布するものである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)