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1. (WO2006117900) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSTIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/117900    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/300537
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 17.01.2006
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
MORIGUCHI, Masao [JP/--]; (US Seulement).
TAKAFUJI, Yutaka [JP/--]; (US Seulement).
DROES, Steven, Roy [US/--]; (US Seulement)
Inventeurs : MORIGUCHI, Masao; .
TAKAFUJI, Yutaka; .
DROES, Steven, Roy;
Mandataire : YASUTOMI, Yasuo; Chuo BLDG., 4-20 Nishinakajima 5-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-128135 26.04.2005 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSTIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a semiconductor device, in which the performance of semiconductor element including a single-crystal semiconductor layer formed on an insulating substrate by transfer can be enhanced. There is provided a process for producing a semiconductor device having a single-crystal semiconductor layer superimposed on an insulating substrate, comprising the steps of injecting a peeling substance into a single-crystal semiconductor substrate to thereby form a peeling layer; through separation by the peeling layer, transferring part of the single-crystal semiconductor substrate onto an insulating substrate to thereby form a single-crystal semiconductor layer; forming a hydrogen-containing layer on at least one surface side of the single-crystal semiconductor layer; and diffusing hydrogen from the hydrogen-containing layer into the single-crystal semiconductor layer.
(FR)Procédé de production d'un dispositif semi-conducteur, dans lequel les caractéristiques de l’élément semi-conducteur comprenant une couche de semi-conducteur monocristallin disposée par transfert sur un substrat isolant peuvent être améliorées. La présente invention concerne un procédé de production d’un dispositif semi-conducteur présentant une couche de semi-conducteur monocristallin superposée sur un substrat isolant, comprenant les étapes d’injection d’une substance d’écaillage dans un substrat en semi-conducteur monocristallin afin de former une couche d’écaillage ; de transfert par séparation de la couche d’écaillage d'une partie du substrat en semi-conducteur monocristallin sur un substrat isolant afin de former une couche de semi-conducteur monocristallin ; de déposition d’une couche contenant de l’hydrogène sur au moins une surface de la couche de semi-conducteur monocristallin ; et de diffusion d’hydrogène de la couche contenant de l’hydrogène dans la couche de semi-conducteur monocristallin.
(JA)本発明は、転写により絶縁基板上に形成される単結晶半導体層を含む半導体素子の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。本発明は、絶縁基板上に設けられた単結晶半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、単結晶半導体基板に剥離用物質を注入して剥離層を形成する工程と、剥離層で分離させることにより単結晶半導体基板の一部を絶縁基板上に転写して単結晶半導体層を形成する工程と、単結晶半導体層の少なくとも片面側に水素含有層を形成する工程と、水素含有層から単結晶半導体層に水素を拡散させる工程とを有する半導体装置の製造方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)