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1. (WO2006117863) LASER A CRISTAL PHOTONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/117863    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/008173
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 28.04.2005
CIB :
H01S 5/12 (2006.01)
Déposants : KYOTO UNIVERSITY [JP/JP]; 36-1, Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 6068501 (JP) (Tous Sauf US).
ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
NODA, Susumu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMADA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHNISHI, Dai [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NODA, Susumu; (JP).
IMADA, Masahiro; (JP).
OHNISHI, Dai; (JP)
Mandataire : KOBAYASI, Ryohei; KOBAYASI PATENT & TRADEMARK 7th Floor, Hougen-Sizyokarasuma Building 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku Kyoto-si, Kyoto 600-8091 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PHOTONIC CRYSTAL LASER
(FR) LASER A CRISTAL PHOTONIQUE
(JA) フォトニック結晶レーザ
Abrégé : front page image
(EN)A laser device which allows a high-output laser beam to scan at high speed without using a mechanical scanning mechanism. A photonic crystal laser comprising an active layer (21) and a two-dimensional photonic crystal layer (23) between upper electrodes (33) and a lower electrode (27), the plurality of upper electrodes (33) being arranged linearly. A current is introduced via one or a plurality of adjacent upper electrodes (33). Accordingly, light generated at the active layer (21) is intensified by being diffracted at the two-dimensional photonic crystal layer (23), whereby a strong laser beam is emitted from the surrounding of a current-introducing upper electrode (33) toward the outside. A laser beam is allowed to scan in the arranging direction of upper electrodes by sequentially switching from one current-introducing upper electrode to another. Since the switching can be made electrically, a laser beam is allowed to scan at high speed without using a mechanical scanning mechanism.
(FR)L’invention concerne un dispositif de laser qui permet à un faisceau laser à forte émission d’effectuer un balayage à grande vitesse sans utiliser de mécanisme de balayage mécanique. Plus particulièrement, l’invention concerne un laser à cristal photonique comprenant une couche active (21) et une couche bidimensionnelle de cristal photonique (23) entre des électrodes supérieures (33) et une électrode inférieure (27), la pluralité d’électrodes supérieures (33) étant arrangées de manière linéaire. Un courant est introduit par le biais d’une électrode ou d’une pluralité d’électrodes supérieures adjacentes (33). En conséquence, la lumière générée à la couche active (21) est intensifiée par sa diffraction à la couche bidimensionnelle de cristal photonique (23), tandis qu’un faisceau laser puissant est émis depuis les environs d’une électrode supérieure introduisant du courant (33), en direction de l’extérieur. On permet audit faisceau laser d’effectuer un balayage dans le sens de la disposition desdites électrodes supérieures en commutant séquentiellement d’une dite électrode supérieure introduisant du courant à une autre. Puisque la commutation est réalisable de manière électrique, la présente invention permet audit faisceau laser d’effectuer un balayage à grande vitesse sans utiliser de mécanisme de balayage mécanique.
(JA) 本発明の課題は、機械的な走査機構を用いることなく、高出力のレーザ光のビームを高速で走査することができるレーザ装置を提供することにある。上部電極33と下部電極27の間に活性層21と2次元フォトニック結晶層23を設けたフォトニック結晶レーザにおいて、上部電極33を直線状に複数個並べて配置する。1個又は近接する複数個の上部電極33から電流を導入する。これにより、活性層21で光が発生し、その光が2次元フォトニック結晶層23において回折により強められることにより、電流を導入した上部電極33の周囲から外部に向かって強いレーザ光が発せられる。そして、電流を導入する上部電極を順に切り換えることにより、上部電極の配列の方向にレーザ光を走査することができる。この切換は電気的に行うことができるため、機械的な走査機構を用いることなく高速でレーザ光を走査することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)