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1. (WO2006117853) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE LECTURE DE DONNEES ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/117853    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/008058
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 27.04.2005
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01)
Déposants : SPANSION LLC [US/US]; One AMD Place, P.O.Box 3453 Sunnyvale, CA 940883453 (US) (Tous Sauf US).
SPANSION JAPAN LIMITED [JP/JP]; 6, Kogyodanchi, Monden-machi, Aizuwakamatsu-shi, Fukushima 9650845 (JP) (Tous Sauf US).
KASA, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KASA, Yasushi; (JP)
Mandataire : KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building 6-1, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, DATA READ OUT METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE LECTURE DE DONNEES ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、データの読み出し方法及び半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes a pair of metal wirings; a program layer formed on the metal wirings with an opening selectively formed in accordance with writing information; and a read out circuit for reading out information decided by the capacitance, which changes between the pair of metal wirings depending on whether the opening is formed on the program layer or not. The program layer is formed of, for instance, a material having a dielectric constant higher than that of air. The program layer is formed of, for instance, a material and a conductor having a dielectric constant lower than that of air. Thus, by detecting the information decided by the capacitance which changes depending on whether there is an opening or not, trimming information and information of device ID and the like can be stored, even in a logic device not having a memory transistor.
(FR)L'invention porte sur un dispositif semi-conducteur comprenant une paire de fils métalliques ; une couche programme formée sur les fils métalliques et dotée d'une ouverture sélectivement formée en fonction des informations d'écriture ; et un circuit de lecture afin de lire les informations choisies par la capacitance, les changements entre la paire de fils métalliques étant fonction de la formation de l'ouverture sur la couche programme ou non. Cette couche programme est constituée, par exemple, d'un matériau présentant une constante diélectrique supérieure à celle de l'air. Cette couche programme est aussi constituée, par exemple, d'un matériau et d'un conducteur possédant une constante diélectrique inférieure à celle de l'air. Par conséquent, grâce à la détection des informations choisies par la capacitance, dont les changements dépendent de la présence d'une ouverture ou non, les informations d'ajustement et les informations de l'ID du dispositif et similaires peuvent être stockées, même dans un dispositif logique ne possédant pas de transistor à mémoire.
(JA) 半導体装置は、一対の金属配線と、前記金属配線の上に形成され、書き込み情報に応じて開口が選択的に形成されたプログラム層と、前記プログラム層上に開口が形成されているかどうかによって変化する前記一対の金属配線間の静電容量によって決定される情報を読み出す読み出し回路とを含む。プログラム層は、たとえば空気よりも誘電率が高い材料により形成されている。また、プログラム層は、たとえば空気よりも誘電率が低い材料及び導体により形成されている。これにより、開口を持つかどうかによって変化する静電容量によって決定される情報を検出することで、メモリトランジスタを持たないロジックデバイスであっても、トリミングの情報やデバイスIDなどの情報を記憶できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)