WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006117765) PROCEDE D'ANALYSE D'UN CIRCUIT INTEGRE, APPAREIL ET CIRCUIT INTEGRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2006/117765 N° de la demande internationale : PCT/IB2006/051402
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 04.05.2006
CIB :
G01R 31/311 (2006.01) ,G01R 31/28 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : GOOSSENS, Martijn[NL/NL]; GB (UsOnly)
ZACHARIASSE, Frank[NL/NL]; GB (UsOnly)
NXP B.V.[NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven, NL (AllExceptUS)
Inventeurs : GOOSSENS, Martijn; GB
ZACHARIASSE, Frank; GB
Mandataire : WHITE, Andrew; NXP Semiconductors Intellectual Property Department Cross Oak Lane Redhill, Surrey RH1 5HA, GB
Données relatives à la priorité :
05103781.005.05.2005EP
Titre (EN) METHOD FOR ANALYZING AN INTEGRATED CIRCUIT, APPARATUS AND INTEGRATED CIRCUIT
(FR) PROCEDE D'ANALYSE D'UN CIRCUIT INTEGRE, APPAREIL ET CIRCUIT INTEGRE
Abrégé : front page image
(EN) A method for analyzing an integrated circuit (IC) comprising a plurality of semiconductor devices (20) on a first surface of a substrate (10) is disclosed. The method comprises the steps of forming a diffraction lens (100) comprising a plurality of concentric diffraction zones (110) in a first area of a further surface opposite to the first surface of the substrate (10), and a further step of optically accessing a subset (30) of the plurality of semiconductor devices (20) through the diffraction lens (100). Due to the fact that a diffraction lens (100) can be implemented at submicron sizes, the lens (100) can be formed more cheaply than a refraction lens, which usually is several microns deep. Moreover, the lens (100) can be easily polished off the substrate (10), which facilitates repeated relocation of the lens (100) on the substrate (10), thus improving the chance of optically detecting a fault inside the IC.
(FR) Un procédé d'analyse d'un circuit intégré (CI) comprenant une pluralité de dispositifs à semi-conducteur (20) sur une première surface d'un substrat (10). Le procédé comprend les étapes de formation d'une lentille de diffraction (100) comprenant une pluralité de zones de diffraction concentriques (110) dans une première zone d'une autre surface opposée à la première surface du substrat (10) et une autre étape d'accès optique à un sous-ensemble (30) de la pluralité de dispositifs à semi-conducteurs (20) à travers la lentille de diffraction (100). Etant donné que la lentille de diffraction (100) peut adopter des tailles sous-microniques, la lentille (100) peut être formée à moindre coût par rapport à une lentille de réfraction classique dont la profondeur représente plusieurs microns. De plus, la lentille (100) peut être facilement polie et écartée du substrat (10) ce qui facilite le replacement répété de la lentille (100) sur le substrat (10), améliorant ainsi les chances de détecter optiquement un défaut dans le CI.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)