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1. (WO2006117725) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EQUIPE D'UN CAPTEUR D'IMAGE ET PROCEDE DESTINE A LA FABRICATION DE CE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/117725    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/051301
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 26.04.2006
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
MAAS, Joris, P., V. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
TOREN, Willem-Jan [NL/FR]; (NL) (US Seulement).
FOLKERTS, Hein, O. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
MAES, Willem, H. [BE/BE]; (NL) (US Seulement).
HOEKSTRA, Willem [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
VERBUGT, Daniel, W., E. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
HERMES, Daniël, H., J., M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : MAAS, Joris, P., V.; (NL).
TOREN, Willem-Jan; (NL).
FOLKERTS, Hein, O.; (NL).
MAES, Willem, H.; (NL).
HOEKSTRA, Willem; (NL).
VERBUGT, Daniel, W., E.; (NL).
HERMES, Daniël, H., J., M.; (NL)
Mandataire : ELEVELD, Koop, J.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
05103594.7 29.04.2005 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AN IMAGE SENSOR AND METHOD FOR THE MANUFACTURE OF SUCH A DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EQUIPE D'UN CAPTEUR D'IMAGE ET PROCEDE DESTINE A LA FABRICATION DE CE DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a semiconductor device with a semiconductor body (12) with an image sensor comprising a two-dimensional matrix of pixels (1) each comprising a radiation-sensitive element (2) with a charge accumulating semiconductor region (2A) and coupled to a number of MOS field effect transistors (3), in which in the semiconductor body (12) an isolation region (4) is sunken for the separation of neighboring pixels (1) underneath which a further semiconductor region (5) with an enlarged doping concentration is formed. According to the invention the further semiconductor region (5) is sunken in the surface of the semiconductor body (12) and wider than the isolation region (4). Preferably the isolation region (4) is merely located there where a radiation sensitive element (2) borders on the MOS transistors (3) of a neighboring pixel (1) and there where two neighboring pixels (1) border on each other with their radiation sensitive elements (2) another sunken semiconductor region (6) with an enlarged doping concentration is located. Such a device (10) has a low leakage current and a large radiation sensitivity and charge storage capacity.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un corps semi-conducteur (12) équipé d'un capteur d'image comportant une matrice bidimensionnelle de pixels (1) comprenant chacun un élément sensible au rayonnement (2) avec une région semi-conductrice (2A) qui accumule les charges et couplés à plusieurs transistors à effet de champ MOS (3). Le corps semi-conducteur (12) comprend une région d'isolation (4) noyée, permettant de séparer des pixels (1) adjacents, sous laquelle est formée une région semi-conductrice (5) comportant une concentration de dopage supérieure. Selon l'invention, cette région semi-conductrice (5) est noyée dans la surface du corps semi-conducteur (12) et plus large que la région d'isolation (4). De préférence, cette dernière est simplement située à la limite entre l'élément sensible au rayonnement (2) et les transistors MOS (3) d'un pixel adjacent (1). Une autre région semi-conductrice (6) comportant une concentration de dopage supérieure est située à la limite entre deux pixels (1) adjacents. Le dispositif (10) de l'invention présente un faible courant de fuite, une grande sensibilité au rayonnement et une grande capacité de stockage de charges.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)