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1. (WO2006117389) EMETTEUR DE LUMIERE BASE SUR UNE DISLOCATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/117389    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/062030
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 03.05.2006
CIB :
H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/34 (2010.01)
Déposants : IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK [DE/DE]; Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder) (DE) (Tous Sauf US).
KITTLER, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
REICHE, Manfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ARGUIROV, Tzanimir [BG/DE]; (DE) (US Seulement).
SEIFERT, Winfried [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KITTLER, Martin; (DE).
REICHE, Manfred; (DE).
ARGUIROV, Tzanimir; (DE).
SEIFERT, Winfried; (DE)
Mandataire : EISENFÜHR, SPEISER & PARTNER; Anna-Louisa-Karsch-Strasse 2, 10178 Berlin (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2005 021 296.4 03.05.2005 DE
10 2006 008 025.4 16.02.2006 DE
Titre (DE) VERSETZUNGSBASIERTER LICHTEMITTER
(EN) DISLOCATION-BASED LIGHT EMITTER
(FR) EMETTEUR DE LUMIERE BASE SUR UNE DISLOCATION
Abrégé : front page image
(DE)Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit einem Substrat, das eine erste Grenzfläche zwieschen einer ersten und einer zweiten Siliziumschicht aufweist, deren als ideal gedachte Gittestrukturen relativ zueinender um eine senkrecht zur Substratoberfläche stehende erste Achse (118) um einen Drehwinkel verdreht und um eine zweite parallel zur Substratoberfläche liegende Achse (110) um einen Kippwinkel verkippt sind, derart, dass im Bereich der Grenzfläche ein Versetzungsnetzwerk vorliegt, wobei der Drehwinkel und der Kippwinkel so gewählt sind, dass ein Elektrolumineszenspektrum des Halbleiterbauelement ein absolutes Maximum der emittierten Lichtintensität bei entweder 1,3 Mikrometern Lichtwellenlänge oder 1,55 Mikrometern Lichtwellenlänge aufweist.
(EN)The invention relates to a light-emitting semiconductor component comprising a substrate provided with a first interface arranged between first and second silicon layers whose lattice structures considered as ideal are oriented to each other at an angle of rotation about a first axis (118) perpendicular to the substrate surface and are inclined at a tilting angle about a second axis (110) parallel thereto in such a way that a dislocation network is available in the interface area, wherein the rotation and tilting angles are selected in such a way that the electroluminescent spectrum of the semiconductor component exhibits an absolute maximum of the light intensity emitted at 1.3 or 1.55 light wavelength micrometers.
(FR)L'invention concerne un composant semi-conducteur électroluminescent qui comprend un substrat présentant une première surface limite entre une première et une deuxième couche de silicium dont les structures de grille considérées comme idéales sont tournées l'une par rapport à l'autre d'un angle de rotation autour d'un premier axe (118) perpendiculaire à la surface du substrat et sont inclinées d'un angle d'inclinaison autour d'un deuxième axe (110) parallèle à la surface du substrat, de sorte qu'on a un réseau de dislocation dans la zone de la surface limite. L'angle de rotation et l'angle d'inclinaison sont sélectionnés de sorte qu'un spectre d'électroluminescence du composant semi-conducteur présente un maximum absolu de l'intensité lumineuse émise soit à 1,3 micromètre de longueur d'onde lumineuse soit à 1,55 micromètre de longueur d'onde lumineuse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)