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1. (WO2006117373) DISPOSITIF TRANSPONDEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/117373    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/061982
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 02.05.2006
CIB :
G06K 19/07 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH [DE/DE]; Haggertystrasse 1, Freising, 85356 Freising (DE) (Tous Sauf US).
GANZ, Ruediger [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : GANZ, Ruediger; (DE)
Mandataire : HOLT, Michael; 800 Pavilion Drive, Northampton Business Park, Northampton, Northamptonshire NN4 7YL (GB)
Données relatives à la priorité :
10 2005 020 054.0 29.04.2005 DE
10 2005 028 396.9 20.06.2005 DE
Titre (EN) TRANSPONDER DEVICE
(FR) DISPOSITIF TRANSPONDEUR
Abrégé : front page image
(EN)A transponder device comprises an integrated CMOS circuit with a semiconductor substrate. A first rectifying diode (DS) is formed by the substrate diode of the CMOS circuit. A first MOS transistor structure (DRl) and a second MOS transistor structure (DR2) have their channels connected in series such that they function as a second rectifying diode, the cathode of the first rectifying diode being connected to the anode of the second rectifying diode. The first MOS transistor structure (DRl) and the second MOS transistor structure (DR2) are spaced from each other such that a distance between the two MOS transistor structures is large enough that a parasitic npn-structure formed within the substrate by the first and the second MOS structures has a negligible current gain.
(FR)L'invention concerne un dispositif transpondeur comprenant un circuit CMOS intégré pourvu d'un substrat semiconducteur. Une première diode de redressement (DS) est formée par la diode de substrat du circuit CMOS. Une première structure transistor MOS (DR1) et une deuxième structure transistor MOS (DR2) ont leurs canaux connectés en série pour servir de deuxième diode de redressement, la cathode de la première diode de redressement étant connectée à l'anode de la deuxième diode de redressement. La première structure transistor MOS (DR1) et la deuxième structure transistor MOS (DR2) sont espacées l'une de l'autre de sorte que la distance qui les sépare soit suffisante pour qu'une structure npn parasitaire formée à l'intérieur du substrat par les première et deuxième structures MOS présente un gain de courant négligeable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)