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1. (WO2006117238) PROCESSUS D'IMPLANTATION DANS LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/117238    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/004242
Date de publication : 09.11.2006 Date de dépôt international : 05.05.2006
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 Munich (DE) (Tous Sauf US).
HIERLEMANN, Matthias [DE/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HIERLEMANN, Matthias; (US)
Mandataire : KINDERMANN, Peter; Patentanwälte Kindermann, P.O. Box 100234, 85593 Baldham (DE)
Données relatives à la priorité :
11/122,713 05.05.2005 US
Titre (EN) IMPLANTATION PROCESS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION
(FR) PROCESSUS D'IMPLANTATION DANS LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device is formed by performing an amorphizing ion implantation to implant dopants of a first conductivity type into a semiconductor body. The first ion implantation causes a defect area (e.g., end-of-range defects) within the semiconductor body at a depth. A non-amorphizing implantation implants dopants of the same conductivity type into the semiconductor body. This ion implantation step implants dopants throughout the defect area. The dopants can then be activated by heating the semiconductor body for less than 10 ms, e.g., using a flash anneal or a laser anneal.
(FR)Un dispositif semi-conducteur est fabriqué par une implantation d'ions amorphes pour implanter des dopants d'un premier type de conductivité dans un corps semi-conducteur. La première implantation entraîne une zone de défaut (par exemple des défauts d'extrémité de plage) à l'intérieur du corps semi-conducteur à une profondeur. Une implantation non amorphe implante des dopants de même type de conductivité dans ce corps semi-conducteur. L'implantation d'ions implante des dopants à travers la zone de défaut. Ces dopants peuvent ensuite être activés par chauffage du corps semi-conducteur pendant moins de 10 ms, par exemple, au moyen d'un recuit ultra-rapide ou d'un recuit laser.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)