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1. (WO2006116776) SYSTEME ET PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET PAR FAISCEAU D'IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/116776    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/016992
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 27.04.2006
CIB :
C23C 16/50 (2006.01), C23C 16/48 (2006.01), C23C 16/517 (2006.01)
Déposants : MEDTRONIC, INC. [US/US]; 710 Medtronic Parkway N.E., Minneapolis, Minnesota 55432-5604 (US) (Tous Sauf US).
PARK, Eunsung [KP/US]; (US) (US Seulement).
TALOR, Catherine, E. [GB/US]; (US) (US Seulement).
CASEY, Kevin [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Eunsung; (US).
TALOR, Catherine, E.; (US).
CASEY, Kevin; (US)
Mandataire : CULLMAN, Louis, C.; PRESTON GATES & ELLIS LLP, 1900 Main Street, Suite 600, Irvine, California 92614-7319 (US)
Données relatives à la priorité :
60/675,621 28.04.2005 US
Titre (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM AND METHOD
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET PAR FAISCEAU D'IONS
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a coating on the surface of a substrate comprising depositing on the substrate a first chemical moiety using a plasma-enhanced chemical vapor deposition, and approximately simultaneously depositing on the substrate a second chemical moiety using a low energy direct ion beam deposition.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un revêtement sur la surface d'un substrat, consistant à déposer sur le substrat une première fraction chimique par dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma, et à déposer à peu près simultanément sur le substrat une deuxième fraction chimique par dépôt par faisceau d'ions direct à faible énergie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)