WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006116770) PROCEDE DE PASSIVATION DE COMPOSITIONS DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE UTILISEES DANS DES PROCESSUS DE PLANARISATION DE FILMS DE CUIVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/116770    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/016705
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 28.04.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.03.2007    
CIB :
H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/461 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive Danbury, Ct 06810 (US) (Tous Sauf US).
LIU, Jun [CN/US]; (US) (US Seulement).
KING, Mackenzie [CA/US]; (US) (US Seulement).
DARSILLO, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
BOGGS, Karl [US/US]; (US) (US Seulement).
ROEDER, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement).
WRSCHKA, Peter [US/US]; (US) (US Seulement).
BAUM, Thomas, H. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIU, Jun; (US).
KING, Mackenzie; (US).
DARSILLO, Michael; (US).
BOGGS, Karl; (US).
ROEDER, Jeffrey; (US).
WRSCHKA, Peter; (US).
BAUM, Thomas, H.; (US)
Mandataire : FUIERER, Tristan, A.; Moore & Van Allen PLLC, Post Office Box 13706, Research Triangle Park, North Carolina 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
11/117,274 28.04.2005 US
11/117,282 28.04.2005 US
Titre (EN) METHOD OF PASSIVATING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITIONS FOR COPPER FILM PLANARIZATION PROCESSES
(FR) PROCEDE DE PASSIVATION DE COMPOSITIONS DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE UTILISEES DANS DES PROCESSUS DE PLANARISATION DE FILMS DE CUIVRE
Abrégé : front page image
(EN)A method of passivating a CMP composition by dilution and determining the relationship between the extent of dilution and the static etch rate of copper. Such relationship may be used to control the CMP composition during the CMP polish to minimize the occurrence of dishing or other adverse planarization deficiencies in the polished copper, even in the presence of substantial levels of copper ions in the CMP composition and at the copper/CMP composition interface.
(FR)L'invention porte sur un procédé de passivation d'une composition de polissage chimico-mécanique (CMP), par dilution et détermination de la relation entre le taux de dilution de la composition et la vitesse de mordançage du cuivre. Ce rapport peut servir à moduler la composition pendant le processus de polissage de manière à réduire le bosselage ou autres défauts de surface, et cela même en présence de niveaux élevés d'ions cuivre dans la composition de polissage et dans l'interface cuivre/composition.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)