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1. (WO2006116710) SYSTEME ET PROCEDE DE COMMANDE D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (FET) DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/116710    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/016328
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 28.04.2006
CIB :
G05F 1/40 (2006.01), G05F 1/56 (2006.01), H03K 17/56 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01), H02H 7/00 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, Texas 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
KOHOUT, James, Allen [US/US]; (US) (US Seulement).
BALDWIN, David, John [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOHOUT, James, Allen; (US).
BALDWIN, David, John; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED, DEPUTY GENERAL PATENT COUNSEL, P.O. Box 655474, M/S 3999, Dallas, Texas 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
11/116,835 28.04.2005 US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR DRIVING A POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET)
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE COMMANDE D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (FET) DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A system and method are provided for driving a power field-effect transistor (FET). In one embodiment, a system comprises a control circuit (54) that generates a control signal (56) to provide a gate voltage of the power FET. The system further comprises a slope control circuit (62) coupled between the control circuit and the power FET that is operative to dynamically control the rate-of-change of a gate voltage of the power FET to reduce electro-magnetic interference (EMI) emissions and power loss resulting from switching the power FET.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé de commande d'un transistor à effet de champ (FET) de puissance. Dans un mode de réalisation, le système comprend un circuit (54) de commande générant un signal (56) de commande pour obtenir une tension de grille du FET de puissance. Le système comprend également un circuit (62) de commande de pente couplé entre le circuit de commande et le FET de puissance destiné à commander de façon dynamique la vitesse de changement d'une tension de grille du FET de puissance pour réduire les émissions d'interférences électromagnétiques (EMI) et la perte de puissance résultant de la commutation du FET de puissance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)