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1. (WO2006116552) CROSSBARS TRIDIMENSIONNELS D'ECHELLE NANOMETRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/116552    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/015933
Date de publication : 02.11.2006 Date de dépôt international : 25.04.2006
CIB :
G11C 13/02 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 20555 S. H. 249, Houston, Texas 77070 (US) (Tous Sauf US).
WILLIAMS, R., Stanley [US/US]; (US) (US Seulement).
KUEKES, Phillip, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WILLIAMS, R., Stanley; (US).
KUEKES, Phillip, J.; (US)
Mandataire : COLLINS, David, W.; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, P.O. Box 272400, M/S 35, Fort Collins, Colorado 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
11/114,307 25.04.2005 US
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL NANOSCALE CROSSBARS
(FR) CROSSBARS TRIDIMENSIONNELS D'ECHELLE NANOMETRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Various embodiments of the present invention include three-dimensional, at least partially nanoscale, electronic circuits and devices in which signals can be routed (1016) in three independent directions, and in which electronic components can be fabricated at junctions (510, 802) interconnected by internal signal lines ( 502-509 and 702-709). The three-dimensional, at least partially nanoscale, electronic circuits and devices include layers, the nanowire or microscale-or-submicroscale/nanowire junctions of each of which may be economically and efficiently fabricated as one type of electronic component. Various embodiments of the present invention include nanoscale memories, nanoscale programmable arrays, nanoscale multiplexers and demultiplexers, and an almost limitless number of specialized nanoscale circuits and nanoscale electronic components.
(FR)L'invention concerne divers modes de réalisation de l'invention, qui comprennent des circuits et dispositifs électroniques tridimensionnels, au moins partiellement d'échelle nanométrique, dans lesquels des signaux peuvent être acheminés (1016) dans trois directions indépendantes, et des composants électroniques fabriqués au niveau de jonctions (510, 802) interconnectées par des lignes de signaux internes (502-509 et 702-709). Les circuits et dispositifs électroniques tridimensionnels, au moins partiellement d'échelle nanométrique comprennent des couches, dont les nanofils ou jonctions de nanofils d'échelle micronique ou submicronique de chaque couche peuvent être fabriqués de façon économique et efficace en tant qu'un type de composant électronique. Divers modes de réalisation de l'invention comprennent des mémoires d'échelle nanométrique, des réseaux programmables d'échelle nanométrique, des multiplexeurs et des démultiplexeurs d'échelle nanométrique, et un nombre quasi illimité de circuits spécialisés d'échelle nanométrique et de composants électroniques d'échelle nanométrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)